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强中子本底辐射屏蔽体优化设计技术研究

郭洪生 , 郭骐语 , 杨高照 , 朱学彬 , 胡青元

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.32.03.318

在国内首次采用高强度窄脉冲DPF中子源,采用直照法测量零功率堆瞬发中子时间常数α.由于外中子源本底太强,导致直照中子和散射中子产生的干扰信号比测量信号高三个量级.为有效地抑制外本底,针对不同能量的干扰中子,采用不同材料进行屏蔽.通过数值模拟的方法优化辐射屏蔽体设计,在屏蔽中子的同时也对散射γ进行了有效屏蔽,使测量信噪比达到了7.5:1,并与实验结果相符合,实验中所采用的新型无机晶体也有效抑制了中子本底.

关键词: 瞬发中子时间常数 , 非期望中子本底 , 数值模拟 , 信噪比 , 零功率堆

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