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邯郸新材料产业崛起

中国材料进展

高纯NF3作为集成电路、液晶面板、薄膜太阳能组件生产关键材料,如今已规模化生产,此前其生产技术为国外几个厂家垄断;新型高科技合成纤维芳纶1414已实现产业化,其强度是优质钢材的5~6倍,韧性是钢材的2倍,而重量仅为钢材的1/5;运用先进生物技术生产的辣椒红色素、叶黄素等天然色素产销量、出口额均为全国第一,占世界天然色素市场份额的40%……在邯郸这个典型的资源型重工业城市,新材料产业正在崛起,成为极具增长活力的产业结构优化升级的带动因素。

关键词: 新材料产业 , 邯郸 , 规模化生产 , 芳纶1414 , 产业结构优化 , 天然色素 , 辣椒红色素 , 集成电路

毫微秒脉冲相关器应用的GaAs单片超高速模拟开关IC

王云生 , 张绵 , 赵静 , 白锡巍

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.020

介绍一种GaAs单片超高速模拟开关IC的设计和制备.电路设计采用了独特的开关管导通时栅-源电压跟随和开关管关断时栅-源电压箝位的电路,使开关获得良好的线性和3ns的开启和关断超高速特性,满足了毫微秒脉冲相关信号的处理要求.

关键词: 砷化镓 , 模拟开关 , 集成电路 , 相关器

环氧塑封料的韧性研究

李立新

材料导报

通过分析环氧塑封料内应力产生的原因,提出降低环氧塑封料弯曲模量的办法,提高韧性.通过一系列试验,继而确定硅油种类以及改性树脂生产方法,将其用于环氧塑封料,弯曲模量明显降低,韧性得以改进,成功封装超大规模集成电路.

关键词: 环氧塑封料 , 内应力 , 弯曲模量 , 韧性 , 改性树脂 , 集成电路

集成电路Cu互连扩散阻挡层的研究进展

陈海波 , 周继承 , 李幼真

材料导报

简要介绍了集成电路的发展趋势及其带来的相关问题和解决办法.综述了国内外对Cu互连扩散阻挡层的制备方法与工艺、阻挡层的选材、阻挡层薄膜的特性等最新研究的进展.评述了该领域的发展趋势及可能的影响因素.

关键词: 集成电路 , Cu互连 , 扩散挡层 , 阻挡性能

防铜变色剂处理对引线框架与封装树脂结合力的影响

孙江燕 , 倪明智 , 于仙仙 , 李明

电镀与涂饰

研究了C194铜合金引线框架表面氧化状态对封装树脂结合强度的影响.铜合金引线框架与树脂的结合强度随氧化膜厚度的增加而先增加后减小,并在厚度为100 nm时达到最大值15.3MPa,比氧化前提高了2.6 MPa.其原因在于氧化膜能够提高与封装树脂之间的润湿性,而氧化膜较厚时,断裂更易发生在疏松的氧化膜中,从而降低了结合强度.防铜变色剂处理可以通过有效减缓氧化膜生长来控制其结合强度.

关键词: 集成电路 , 引线框架 , 封装树脂 , 结合强度 , 防铜变色剂处理

集成电路制造用溅射靶材

尚再艳 , 江轩 , 李勇军 , 杨永刚

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.04.022

溅射靶材常用于半导体产业、记录媒体产业和先进显示器产业. 在不同产业中, 半导体集成电路制造业对溅射靶材的质量要求最高. 对用于集成电路制造的溅射靶材的材质类型、纯度要求、外形发展进行了阐述, 并讨论了溅射靶材微观组织对溅射薄膜性质的影响, 以及靶材中夹杂物、晶粒尺寸、晶粒取向的控制方法.

关键词: 集成电路 , 溅射 , 靶材 , 半导体

键合金丝的研究进展及应用

郭迎春 , 杨国祥 , 孔建稳 , 刀萍 , 管伟明

贵金属 doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2009.03.015

介绍了键合金丝的特性、种类及其适用的封装领域;微合金化高纯金丝、合金型金丝、复合型金丝和键合铜丝的研究发展概况,以及各类型键合丝在市场上所处的地位;键合金丝主要应用领域-集成电路(IC)和半导体分立器件的发展情况.分析了国内外键合金丝市场、产业状况以及该行业的发展趋势.

关键词: 金属材料 , 半导体封装 , 键合金丝 , 分立器件 , 集成电路

TiN/Ti/SiO2/Si基板的分电极酸性化学镀铜

温锦生 , 刘超 , 钟声 , 杨志刚

稀有金属材料与工程

讨论了对TiNi/Ti/SiO2/Si基板在HF+CuSO4中采用分离双电极方法的化学酸性镀铜.Si基板和TiNi/Ti/SiO2/Si基板分别作为化学镀的阳极和阴极,在开路条件下进行化学镀.最佳化学镀反应条件为电极相距0.5 mm,[HF]和[CuSO4]大于8%(质量分数)和0.045 mol/L.最后得到覆盖率高、晶粒大小均一、结构致密、具有<111>择优取向的Cu膜,且Cu膜中不含Cu2O,降低了电阻率.

关键词: 分电极酸性化学镀 , Cu基板 , TiN/Ti/SiO2/Si基板 , 集成电路

硅化钛薄膜的制备与应用

徐向勤 , 杜军

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2007.09.009

金属硅化物因其薄膜电阻率低,熔点高,化学性质稳定,在微电子领域具有广阔的使用前景.本文系统地阐述了硅化钛的性质、制备方法(包括自对准硅化物技术及CVD技术)及其应用.对硅化钛在集成电路中的应用进行了重点介绍.

关键词: 硅化钛 , 薄膜 , 微电子 , 集成电路

集成电路互连铝通孔焦耳热效应的分析与模拟仿真

江清明 , 周继承 , 杨春晖 , 章晓文

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.022

对超大规模集成电路铝互连系统中的铝通孔电迁移进行了试验分析和模拟.以通孔开路为电迁移失效判据,求出了在加速条件下互连铝通孔的电迁移寿命;基于ANSYS模拟软件平台,对铝通孔电迁移热电耦合效应进行了模拟.仿真结果表明通孔最高温度比环境温度高出9.576K,与通孔自热效应理论模型算出的结果基本一致.考虑该温度修正后通孔电迁移寿命与实际值更接近.该工作对铝通孔电迁移的研究和寿命评价具有重要的实际意义.

关键词: 集成电路 , 通孔 , 金属互连线 , 温度分布模型 , 焦耳热

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