朱诚
,
张永刚
,
李爱珍
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.021
主要应用高掺杂的p-n结理论进行隧道结的计算研究工作,针对GaInP/GaAs双结电池的结构,选择不同的宽禁带材料研究隧道结I-V特性以及不同的掺杂浓度对于其I-V特性的影响,寻找出掺杂浓度与隧穿电流的关系曲线.结果表明: 随着掺杂浓度的提高,峰值电流密度逐渐增大; 对于GaInP/GaAs太阳电池,隧道结采用GaInP材料比采用GaAs材料性能要好的多.
关键词:
隧道结
,
隧穿电流
,
串接太阳电池
,
I-V特性
金克新
,
陈长乐
,
赵省贵
,
罗炳成
,
袁孝
,
宋宙模
材料导报
从隧道结两种通用的基本理论出发,从材料选取的角度详细介绍了磁性隧道结不同的中间层和铁磁层材料的研究成果,揭示了材料选取对隧道结磁电阻的重要影响,并对其发展和应用前景进行了展望.
关键词:
隧道结
,
磁电阻
,
材料选取