赖武彦
材料导报
纳米尺度超薄膜的制备和结构表征,催生了一门新学科--磁导体电子学.制备方法的改进促进了磁导体电子学器件的产业化.它在计算机信息功能上有重要应用.计算机信息量的运算和存取是信息功能的两个侧面,必须平衡发展.巨磁电阻(GMR)硬盘的存储密度已达11Gbits/in2,这个突破性进展缓解了失衡.非易失性磁随机存储器(MRAM)是磁导体电子学器件又一新成果.利用现有微电子技术,可以尽快实现其产业化.
关键词:
磁导体电子学
,
纳米薄膜
,
巨磁电阻
,
隧道磁电阻
,
磁随机存储器
张万里
,
彭斌
,
唐晓莉
,
蒋洪川
,
张怀武
功能材料
采用RF反应溅射法制备了室温下TMR值达6.5%的NiFe/Al2O3/Co磁性隧道结.样品制备采用一系列的掩模,Al2O3层的制备采用RF反应溅射并原位热氧化方法,隧道结的面积为0.2mm×0.2mm.样品的Ⅰ-Ⅴ特性曲线说明了样品中隧道效应的存在,利用XPS分析了样品界面特性及样品成分随膜厚的变化.
关键词:
磁性隧道结
,
RF反应溅射
,
隧道磁电阻
张栋杰
,
都有为
材料研究学报
利用X射线衍射和高分辨透射电镜(HRTEM) 分析和观测了ZnFe2O4/Fe2O3纳米复相铁氧体的结构，研究了Fe2O对ZnFe2O4/Fe2O3纳米复相铁氧体的结构和磁性能的影响。结果表明: 过量的Fe2O3是在复相锌铁氧体内形成隧道结构和隧道磁电阻(TMR)的必要条件；在复相锌铁氧体中?-Fe2O3位于晶界处，形成隧道结构的绝缘层；复相锌铁氧体具有非线性的伏安曲线和TMR效应；单相锌铁氧体具有线性伏安曲线和一般铁氧体磁电阻效应；复相锌铁氧体的相变动力学表明?-Fe2O3是由晶界或表面控制的析晶。
关键词:
无机非金属材料
,
tunneling structure
,
tunneling magnetoresistance
