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主要应用高掺杂的p-n结理论进行隧道结的计算研究工作,针对GaInP/GaAs双结电池的结构,选择不同的宽禁带材料研究隧道结I-V特性以及不同的掺杂浓度对于其I-V特性的影响,寻找出掺杂浓度与隧穿电流的关系曲线.结果表明: 随着掺杂浓度的提高,峰值电流密度逐渐增大; 对于GaInP/GaAs太阳电池,隧道结采用GaInP材料比采用GaAs材料性能要好的多.

关键词: 隧道结 , 隧穿电流 , 串接太阳电池 , I-V特性

等离子体充电效应在薄氧化硅层产生陷阱密度的确定

胡恒升 , 张敏

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.01.013

通过比较经过和未经过等离子暴露的两种薄栅氧化硅层在恒电流条件下击穿时间tbd的差异，计算出在等离子体暴露过程中由充电效应导致的隧穿电流在天线比为2000的MOS电容栅氧化硅层中产生的陷阱密度为2.35×1018cm－3，表明充电效应导致损伤的出现。

关键词: 等离子体 , 暴露 , 陷阱 , 击穿时间 , 隧穿电流

小偏压下阱中阱结构的量子隧穿特性及其实现

安盼龙 , 赵瑞娟

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.05.019

共振隧穿是电子的隧穿概率在某一个能量值附近以尖锐的峰值形式出现的隧穿,是目前为止最有希望应用到实际电路和系统的量子器件之一,其特点是器件的响应速度非常快.用传递矩阵的方法分别计算了在外加偏压下,对称双势垒、三势垒应变量子阱结构的透射系数与入射电子能量和隧穿电流与偏置电压的关系,模拟了应变多量子阱结构的隧穿系数和Ⅰ-Ⅴ特性曲线.计算得到隧穿电流峰值位置与实验测试值符合得很好,对于设计共振隧穿二极管并为进一步实验提供理论指导具有重要的意义.

关键词: 光电子学 , 量子阱 , 共振隧穿 , 透射系数 , 隧穿电流

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隧道结在多结太阳电池中的应用

等离子体充电效应在薄氧化硅层产生陷阱密度的确定

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