孙佳胤
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陈静
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王曦
,
王建峰
,
刘卫
,
朱建军
,
杨辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.04.012
本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制.采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为GaN内部应力的表征手段.结果表明,SOI材料对硅基GaN异质外延中的晶格失配应力和热应力的释放都有显著作用.薄膜SOI材料通过顶层硅与外延层的界面滑移,将一部分晶格失配应力通过界面的滑移释放,并且通过柔性薄膜顶层硅自身的应力吸收作用,将一部分热失配应力转移到衬底,从而有效地降低了GaN外延层的张应力.
关键词:
绝缘体上的硅
,
氮化镓
,
金属有机物化学气相外延
,
降低应力
