廖昆
,
谢应茂
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2016.02.002
利用传输矩阵法研究了含向列相液晶缺陷层的1维阶梯型双周期第4代准周期结构缺陷模的电场方向调控特性.分析了外加电场方向和正入射波方向间夹角θ与缺陷模波长的位置、品质因子、空间位置光场分布的变化关系,探讨了缺陷模的品质因子对光场强度的影响.结果表明:随着夹角θ的逐渐增大,缺陷模的位置向短波方向移动,缺陷模波长的调控量为84 nm;随着夹角θ的逐渐增大,缺陷模的品质因子逐渐增大;缺陷模在空间位置的光场分布呈现出局域现象,随夹角θ的增大,空间位置的光场强度逐渐增强;缺陷模的品质因子与光场强度成正比关系.
关键词:
光的电磁理论
,
阶梯型双周期结构
,
缺陷模
,
传输矩阵法
,
光场分布
,
品质因子
