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曲轶 , 薄报学 , 高欣 , 张宝顺 , 张兴德 , 石家纬
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.036
利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱材料.利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(500μs,100Hz)输出功率达到27W(室温),峰值波长为939～941nm,并分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素.
关键词: 分子束外延 , 阵 , 半导体激光器
