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李韫言 , 蔚燕华 , 李成基
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.008
在空间生长SI-GaAs的某些部位有汽泡产生,经俄歇分析,汽泡表面约有10nm的砷层,它从半绝缘砷化镓内部逸出,导致其成为半导体.用阴极荧光形貌观测了其多晶结构.
关键词: 砷化镓 , 汽泡 , 俄歇分析 , 阴极荧光
