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曾传滨 , 海潮和 , 李晶 , 李多力 , 韩郑生
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.05.003
本文研究了部分耗尽绝缘体上的硅(PDSOI)NMOS、CMOS结构的闩锁(latch)特性.提出了一种体电极触发诱发PDSOI NMOS器件闩锁效应维持电压的测试方法,并用此方法测试出了不同栅长、栅宽和体接触结构NMOS/CMOS的闩锁效应维持电压,以及沟道注入条件和温度对维持电压的影响.
关键词: 绝缘体上的硅 , 闩锁 , 金属氧化物半导体
