王飞
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田一光
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张乔
兵器材料科学与工程
通过高温固相合成Sr0.955Al2Si2-xGexO8∶Eu2+（x =0~1.0）系列试样荧光粉，系统研究Ge4+置换Si4+对其晶体结构和光谱特性的影响。Ge4+以类质同相替代SrAl2Si2O8晶格中的Si4+形成连续固溶体，晶胞参数a，b，c，β和晶胞体积V随Ge4+置换量的增加呈线性递增。荧光激发谱为宽带，位于230~400 nm，可拟合成4个峰，表观峰值位于351 nm处；随着Ge4+置换量的增加，半高宽从105 nm减小到95 nm。发射光谱位于380~600 nm，可由406 nm和441 nm两个峰拟合而成，表观峰值位于407 nm处；随着Ge4+置换Si4+进入基质晶格，造成Eu—O距离变小，使Eu2+所处的晶体场强度增强，发光中心Eu2+的5d能级分裂增大，造成Eu2+最低发射能级重心下移，两拟合谱峰峰位均呈线性红移。
关键词:
发光
,
硅酸盐
,
锶长石
,
镓置换
,
Eu2+
王飞
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田一光
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张乔
,
赵文光
中国稀土学报
在弱还原气氛下采用高温固相法制备Ba0.955Al2-xGaxSi2O8:Eu2+(x=0～1.0)系列荧光粉,研究Ga3+置换Al3+对晶体结构和光谱特性的影响.Ga3+与Al3+以类质同相替代进入BaAl2Si2O8晶格形成连续固溶体,晶胞参数a,b,c,β和晶胞体积V均随Ga3+置换量呈线性增加.宽带激发光谱,覆盖范围为230～400 nm,可拟合成4个峰,表观峰值位于330 nm,基本不随Ga3+置换量变化;随着Ga3+置换量的增加,半高宽从93 nm减小至83 nm.发射光谱位于375～560 nm,可由422和456 nm两峰拟合而成,表观峰值位于434 nm,两拟合峰峰位均随Ga3+置换量呈线性红移,且拟合峰强度比呈线性递减.
关键词:
发光
,
硅酸盐
,
钡长石
,
镓置换
,
Eu2+
