胡益丰
,
郝文博
,
邓文
稀有金属材料与工程
利用双探头符合系统,测量纯金属Ni、Co、Cr以及3种不同成分的Ni-Co-Cr合金的正电子湮没辐射Doppler展宽谱,分析形成Ni-Co-Cr合金时3d电子的作用.结果表明,3种纯金属中Ni的3d电子信号较强,当增加Ni-Co-Cr合金中的Ni原子的比例时,导致正电子与自由电子湮没的几率增加.不同成分Ni-Co-Cr合金的实验商谱与其合成商谱保持了较好的一致性,这显示出在Ni-Co-Cr合金中不同原子之间主要以金属键相结合,这可能是Ni-Co-Cr合金具有较好金属延展性的原因之一.
关键词:
Ni-Co-Cr高温合金
,
Doppler展宽谱
,
3d电子
,
键结构
黄海宾
,
沈鸿烈
,
吴天如
,
张磊
,
岳之浩
功能材料
对高H2稀释比条件下热丝CVD法制备GeSi薄膜的工艺参数对薄膜的键结构的影响进行了研究.用Raman谱和FT-IR谱对薄膜中非极性键(Ge-Ge、Ge-Si和Si-Si)相对含量的变化和极性键(Ge-H、Ge-H2、Si-H等H键)相对含量的变化进行了分析.研究结果表明,热丝CVD工艺参数对制备的GeSi薄膜中非极性键和极性键的影响规律是不同的.热丝温度和锗烷硅烷流量比(RS/G)对非极性键相对含量的变化均有影响.随着热丝温度上升Ge-Si和Si-Si相对含量均增加.随着RS/G增加Si-Si相对含量一直增加,Ge-Si相对含量先增加,当RS/G＞1.4时开始下降.但热丝温度和RS/G对H键的影响规律有很大不同:随着RS/G增加,Si-H键的相对含量增加,Ge-H和Ge-H2键的相对含量减少,而热丝温度对H键相对含量基本无影响.
关键词:
热丝CVD
,
锗硅薄膜
,
键结构
,
热丝温度
,
锗烷硅烷流量比
康健
,
叶超
,
辛煜
,
程珊华
,
宁兆元
功能材料
采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,用苯和三氟甲烷混合气体,制备了氟化非晶碳膜(a-C:F).用红外吸收光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)分析了a-C:F薄膜的结构.FTIR结果表明,氟主要以C-F、CF2的形式成键形成a-C:F薄膜;XPS结果进一步证明a-C:F膜中存在C-F、CF2键,获得了与FTIR相一致的结果.
关键词:
a-C:F薄膜
,
ECR-CVD
,
键结构
叶超
,
宁兆元
,
程珊华
,
辛煜
,
许圣华
功能材料
研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的低频(102～106Hz)介电性质.发现a-C:F薄膜的低频介电色散随源气体CHF3/C6H6的比例、微波入射功率而改变.结合薄膜键结构的红外分析,发现薄膜中C=C相对含量的增大是导致低频介电色散增强的原因,而C-F相对含量的增大则使低频介电色散减弱.
关键词:
氟化非晶碳(a-C:F)薄膜
,
介电色散
,
键结构
叶超
,
康健
,
宁兆元
,
程珊华
,
辛煜
,
方亮
,
陆新华
,
项苏留
功能材料
利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术,通过改变微波输入功率的方法,沉积了具有不同结构特征的氟化非晶碳(α-C:F)薄膜.随着微波功率从M0w升高到560w,薄膜的光频介电常数从2.26降至1.68,红外光谱(FTIR)分析表明薄膜的键结构由以CF基团为主变化到CF与cF2基团共存.由于CF2基团的极化比CF基团弱,薄膜中CF2基团的增加可能是导致光频介电常数减小的因素.
关键词:
α-c:F薄膜
,
键结构
,
电子极化
