吕宝华
,
李玉珍
,
黄健
,
任晓娟
机械工程材料
采用固相反应法在800℃烧结制备出了不同锡掺杂量的(In1…Snx)2O3(x=0,0.01,0.02,0.05)粉体,通过X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪、傅里叶红外光谱仪(IR)、紫外吸收可见光谱(Uv-vis)分析仪以及扫描电镜(SEM)等对(In1-xSnx)2O3粉体的结构、光学性能和形貌进行了表征.结果表明:不同锡掺杂量的(In1-xSnx)2O3粉体都保持了In2O3的立方相晶胞结构;锡的掺杂改变了In2O3的紫外-可见吸收性能和红外吸收性能,抑制了In2O3粉体颗粒的长大,使其结构变得更加紧密.
关键词:
In2O3
,
锡掺杂
,
光学性能
,
形貌
塔娜
,
史志铭
,
王晓欢
,
李鹏飞
,
侯小虎
人工晶体学报
本文采用溶胶凝胶法制备了锡掺杂纳米二氧化钛,通过高分辨透射电镜法(HRTEM),X-射线衍射法(XRD)等分析手段对样品的相变过程进行了表征.XRD和HRTEM测试表明纯二氧化钛在烧结温度高于500℃时出现金红石相,而25mol％ Sn2+掺杂二氧化钛凝胶在300℃烧结2h后少量锐钛矿相析出的同时结晶出金红石相.实验结果表明Sn2掺杂抑制了锐钛矿和金红石相的晶粒长大;Sn2+掺杂明显地促进了锐钛矿向金红石的转变.Sn2氧化后形成Sn4+,Sn4+置换Ti4+而引起二氧化钛晶格膨胀的同时晶格畸变应力增加.
关键词:
二氧化钛
,
锡掺杂
,
相变
,
微结构分析
伍春燕
,
张海燕
,
何艳阳
,
梁礼正
,
朱艳娟
,
张春华
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.03.018
本文报道了锡掺杂C60薄膜样品的扫描电镜,X射线衍射,紫外可见吸收光谱和电阻随温特性的测量结果;显示样品由纳米级颗粒组成,为面心立方结构,掺杂锡原子在禁带中形成施主能级,电阻随温度增加呈指数衰减,霍耳效应证实为N型半导体.
关键词:
锡掺杂
,
紫外可见光吸收
,
电阻
宋海云
,
史铁钧
,
邹燕
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2007.04.016
采用季胺盐作为结构模板剂,在水热条件下合成了Sn掺杂的有序多孔氧化锆材料.通过XRD、FT-IR、HRTEM、UV-Vis吸收、N2吸附等分析手段对材料性能进行了表征.结果表明:金属锡能均匀地掺杂于规则的介孔氧化锆骨架中;锡掺量小于10%(物质的量分数,下同)时,可以提高无机墙体氧化锆的缩合程度,有利于提高材料的比表面积和热稳定性;当锡掺量介于10%～30%之间时,锡也能很好的进入氧化锆骨架中,不会析出氧化锡纳米晶,但随着锡掺量增加,孔道长程有序度、比表面积、热稳定性都会降低.
关键词:
锡掺杂
,
介孔氧化锆
,
热稳定性
刘鑫鑫
,
沈俊杰
,
朱铁军
,
杨胜辉
,
赵新兵
功能材料
采用固相烧结法制备了掺Sn的层状热电氧化物Bi2-y SnySr2Co2O9-δ(y=0、0.02、0.04、0.06、0.08、0.10).XRD结果表明Bi-Sr-Co-O氧化物样品存在一定程度的织构.Seebeck系数为正,说明该氧化物为p型半导体.掺Sn后电导率和热导率均增大.对于Seebeck系数和功率因子,存在着掺Sn量的最优值,即Bi1.96 Sn0.04Sr2CO2O9-δ.掺Sn样品的最高ZT值比未掺Sn样品提高了约2倍.
关键词:
热电材料
,
钴基层状氧化物
,
锡掺杂
