吴贵斌
,
崔继锋
,
黄靖云
,
叶志镇
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2004.02.002
本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1-xGex合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究.通过XPS和SIMS图谱的研究,指出表面由于锗的偏析,造成锗在体内和表面的含量不同,在低温时生长锗硅合金,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析,但随着温度的升高,氢的脱附造成锗的偏析现象更加明显.
关键词:
锗硅合金
,
表面偏析
,
表面耗尽
,
超高真空化学气相沉积
杨维明
,
史辰
,
谢万波
,
吴楠
,
陈建新
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.06.017
介绍了一种基于电阻率高达1000Ω·cm的硅衬底的锗硅异质结晶体管的研制.首先根据衬底寄生参数模型分析了衬底对器件高频性能的影响,然后设计了器件的材料与横向结构尺寸,该器件采用掩埋金属自对准技术在3μm工艺线上制备而成,测得其典型直流电流增益为120,BVCEO为9.0V,fT为10.2GHz,fmax为5.3GHz,比同结构尺寸的常规N+衬底Si/SiGe HBT的fT和fmax分别高出3.9GHz和1.5GHz.
关键词:
锗硅合金
,
异质结晶体管
,
高阻衬底
