杨萍
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王宙
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付传起
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张庆乐
材料保护
在真空蒸镀多晶硅薄膜中掺入杂质可改善膜的微结构及电特性,目前有关基板距离对所得膜层的影响研究不多.采用真空蒸镀掺杂锗的方法制备出多晶硅薄膜;通过扫描电镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪等研究了基板距离对掺锗多晶硅薄膜的组织、形貌、晶粒尺寸及晶化率的影响.结果表明:随着基板距离的增大,薄膜的晶粒尺寸和晶化率均呈现出先增大后减小的相似趋势;当基板距离为90 mm时,晶粒尺寸显著增大,最大达到0.8 μm左右,多晶硅薄膜晶粒形貌、结构性能最好,且具有较高的结晶度,薄膜的晶化率最高可达到85.10％.
关键词:
真空蒸镀法
,
多晶硅薄膜
,
组织
,
形貌
,
晶粒尺寸
,
基板距离
,
锗掺杂
,
晶化率
周婧
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赵高凌
,
韩高荣
功能材料
二氧化钛是一种无毒、廉价、稳定的半导体材料,被广泛用作光电化学太阳能电池的电极材料,适当掺杂可以增强其光电性能.以钛酸丁酯和四正丁氧基锗烷为主要原料,采用溶胶-凝胶提拉涂膜法制备了Ge掺杂的TiO_2薄膜.通过X射线衍射、扫描电镜、紫外-可见吸收光谱、电流-电压曲线等测试手段研究了薄膜的结晶性能、微观结构和光电性能随Ge掺杂量的变化规律.结果表明,Ge掺杂量x=0.10时,形成Ti_(1-x)Ge_xO_2固溶体,x=0.15时,形成非晶态.掺锗后薄膜表面颗粒密度增大,薄膜比较致密.随着Ge掺杂量的增加,吸收光谱吸收边蓝移,光电化学性能也得到一定提高.在Ge掺杂量为0.05时,光电流达到最大值17A/m~2.同时,研究了锗掺杂对光电流的影响.
关键词:
锗掺杂
,
TiO_2薄膜
,
光电化学性能
,
溶胶凝胶法
沈忠
,
钟近艺
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赵渊中
,
崔燕
,
陈立坤
,
郑禾
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150450
采用均匀沉淀法制备不同锗掺杂浓度的纳米二氧化钛(TiO2);为了研究掺杂浓度与粉体活性之间的关系,针对化学毒剂(CWAs)模拟剂2-氯乙基乙基硫醚(2-CEES)和甲基膦酸二甲酯(DMMP)开展光催化消毒实验,并用动力学方程拟合实验结果;通过XRD、UV-Vis、BET、BJH、SEM和TEM等技术对样品进行表征,分析锗掺杂对TiO2结构及性能的影响;综合考虑溶剂的毒性、挥发性、可燃性和溶解性等因素,以氢氟醚(HFE)作为分散溶剂,研究模拟太阳光下Ge-TiO2和HFE混合体系对芥子气(HD)、梭曼(GD)和维埃克斯(VX)的消毒性能.结果表明:适量锗掺杂不会改变纳米TiO2的晶型结构,可以减小晶粒尺寸,增大比表面积,增强光利用率,提高消毒活性;相较于直接使用粉体消毒,混合体系的消毒效率明显提高;在模拟太阳光下,最佳锗掺杂浓度(6.24wt％)样品与HFE-458 (HCF2CF2CH2OCF2CF2H)组成的混合体系与三种化学毒剂反应60 rnin的降解率分别为:HD 98.73％、GD 100％、VX 100％.
关键词:
化学毒剂
,
洗消
,
锗掺杂
,
二氧化钛
,
氢氟醚
,
模拟太阳光
