栾庆彬
,
皮孝东
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.21.001
以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能,就有必要开发新型的薄膜材料.近年来,由半导体纳米晶体构成的新型薄膜材料在晶体管中的应用越来越受到人们关注.利用半导体纳米晶体制备的薄膜晶体管有着较高的载流子迁移率和开关电流比,同时在其制备过程中可以在较低温度下大面积成膜,能够使用塑料等柔性衬底,因而具有明显的成本优势,发展前景广阔.着重介绍了几种颇具潜力的半导体(如硒化镉、碲化汞、硒化铅、锗、硅)纳米晶体在制备薄膜晶体管方面的应用.
关键词:
薄膜晶体管
,
有源层
,
半导体
,
纳米晶体
,
硒化镉
,
碲化汞
,
硒化铅
,
锗
,
硅
朱利亚
,
李光俐
,
刘文
,
李勇
,
贺小塘
,
谭文进
,
吴喜龙
,
韩守礼
,
管有祥
,
谢宏潮
,
安中庆
贵金属
研究了低于GeCl4挥发温度密闭分解含锗的金合金的技术、KIO3电位滴定常量Ge的方法和提高方法选择性的条件；比较了电位与传统碘淀粉终点指示法对分析结果准确度、精密度,终点稳定性和敏锐度,方法选择性等的影响.结果表明:在优化条件下,控制消解温度不超过75℃时,9mL HCl -2 mL H2O2能完全消解0.10g样品,且无Ge的损失.经蒸馏分离收集锗,消除Au(Ⅲ)及常见共存离子的影响.电位终点指示法与传统碘淀粉终点指示法对锗滴定结果准确度基本一致,电位终点指示法实用性更强.方法用于AuGe12、AuGeNi12-2、AuAgGe18.8 -12.5、AuAgGeNi43.8 -6-0.2等系列金锗合金中6％～13％锗含量的测定,标准偏差和相对标准偏差分别为0.0214％～0.0450％和0.304％ ～0.391％,样品加标回收率99.11％ ～ 100.99％.
关键词:
分析化学
,
电位滴定
,
锗
,
金合金
,
低温
,
密闭分解
,
蒸馏
张家敏
,
雷霆
,
张玉林
,
冯林永
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.03.019
采用干馏原理和方法,设计了从褐煤中提锗同时制取焦炭的工艺流程,研究了褐煤在不同干馏温度、时间、气氛下锗的挥发特性及残余物的特性.结果表明:温度和时间是影响褐煤中锗挥发的主要因素,气氛的影响较小.当温度高于800 ℃时,锗大量挥发;800 ℃保温2 h锗挥发率大于60%,1000 ℃保温2 h锗挥发率大于80%,保温10 h大于85%;1000 ℃保温2 h的干馏残余物通过洗选可获得优质焦炭.探讨了含锗褐煤锗挥发机制,并对锗在褐煤中的赋存结构进行了研究.
关键词:
褐煤
,
锗
,
干馏
,
挥发率
,
残余物
,
焦炭
敖登高娃
,
乌云
,
王桂峰
冶金分析
doi:10.3969/j.issn.1000-7571.2003.04.014
用荧光熄灭法研究了5'-硝基-水杨基荧光酮(5'-NSAF)-TritonX-100-Ge*$体系的反应条件和测定方法.在0.002～0.08mol/L的硫酸介质中,TritonX-100存在下,Ge*$与5'-NSAF反应生成1∶4的红色络合物,使5'-NSAF溶液的荧光明显熄灭.其激发波长λex＝505nm,发射波长λem＝533nm.线性范围为8～210ng/mL,检出限为8ng/mL,本法灵敏度高,选择性好,可不经分离直接测定煤中微量锗,结果满意.
关键词:
锗
,
5'-硝基-水杨基荧光酮
,
荧光熄灭法
,
煤矿石
刘力锋
,
陈诺夫
,
尹志岗
,
杨霏
,
周剑平
,
张富强
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.004
采用离子能量为 100keV,剂量为 3× 1016cm- 2的离子注入技术,室温下往 n型 Ge( 111)单晶 衬底注入 Mn+离子,注入后的样品进行 400℃热处理.利用 X-射线衍射法 (XRD)和原子力显微 镜( AFM)对注入后的样品进行了结构和形貌分析, 俄歇电子能谱法 (AES)进行了组分分析,交变 梯度样品磁强计( AGM)进行了室温磁性测量.结果表明原位注入样品的结构是非晶的,热处理后 发生晶化现象.没有在样品中观察到新相形成. Mn离子较深的注入进 Ge衬底,在 120 nm处 Mn原子百分比浓度达到最高为 8%.热处理后的样品表现出了室温铁磁特性.
关键词:
离子注入
,
锗
,
铁磁性
,
稀磁半导体
吴海平
,
张国庆
,
王辉
,
夏燕萍
,
陶宇
,
陶国良
材料导报
低维半导体纳米材料由于具备许多特殊的电学及光学性能,近年来受到研究学者的广泛关注.综述了近期国内外低维Ⅳ族元素半导体纳米材料制备方法的研究进展,并对已经报道的制备方法进行了分类和总结,展望了低维元素半导体的研究前景.
关键词:
纳米材料
,
半导体
,
硅
,
锗
何静
,
王小能
,
刘明海
,
王继民
,
唐谟堂
,
鲁君乐
,
王涛
,
罗超
,
郭瑞
稀有金属材料与工程
为提高真空炉渣中锗的浸出率提供理论依据,对含锗真空炉渣在HCl-CaCl2-H2O体系中锗的浸出动力学进行了研究.结果表明,浸出过程属于生成固体产物层的“未反应核收缩模型”,其宏观动力学方程为:1-2/3x-(1-x)2/3=4.66×10-3 CHCl1.027CCaCl21.046d-0.862exp(-21068/RT)t,表观活化能为21.068 kJ/mol,浸出过程受灰分层扩散控制;提高盐酸的浓度、氯化钙浓度、浸出温度、液固比及减小矿物粒度均可加快锗的浸出速度,提高锗的浸出率.
关键词:
锗
,
真空炉渣
,
盐酸
,
氯化钙
,
浸出动力学
