毕振兴
,
张之圣
,
胡明
,
樊攀峰
,
刘志刚
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.04.002
在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜.将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃.测试分析表明:薄膜厚度比较均匀、表面基本平整、没有裂纹和孔洞、致密性好、薄膜样品的矫顽场强(Ec)为28.6kV/cm,剩余极化强度(Pr)为18.7μC/cm2,自发极化强度(Ps)为37.5μC/cm2,是制备铁电薄膜存储器的优选材料.
关键词:
PZT
,
直流对靶溅射
,
射频磁控溅射
,
锆钛酸铅薄膜
,
钙钛矿相
,
电滞回线
包定华
,
吴小清
,
张良莹
,
姚熹
无机材料学报
采用MOD工艺制备了PZT薄膜，利用XRD和TEM研究了焦绿石相向钙钛矿相的转变过程．制备在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上的PZT薄膜，其XRD分析显示焦绿石相在600℃完全转变为钙钛矿相；与之相比，Pt箔上无支持的PZT薄膜，其TBM分析表明PZT焦绿石相完全转变为钙钛矿相的温度更高，且与薄膜的厚度有关．XPS研究表明，薄膜表面含有化学吸附氧和污染碳，无其它杂质存在.表面富含少量Pb，其Zr／Ti比与化学计量比一致，但晶格中缺氧．
关键词:
锆钛酸铅薄膜
,
null
,
null
包定华
,
吴小清
,
张良莹
,
姚熹
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.01.020
采用MOD工艺制备了PZT薄膜, 利用XRD和TEM研究了焦绿石相向钙钛矿相的转变过程. 制备在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的PZT薄膜, 其XRD分析显示焦绿石相在600℃完全转变为钙钛矿相; 与之相比, Pt箔上无支持的PZT薄膜, 其TEM分析表明PZT焦绿石相完全转变为钙钛矿相的温度更高, 且与薄膜的厚度有关. XPS研究表明, 薄膜表面含有化学吸附氧和污染碳, 无其它杂质存在. 表面富含少量Pb, 其Zr/Ti比与化学计量比一致, 但晶格中缺氧.
关键词:
锆钛酸铅薄膜
,
结构相变
,
成分分析
