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PBSZT压电陶瓷机械损耗和介电损耗的关联性

晏伯武

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.017

为探索PZT压电陶瓷材料的损耗机理,对Pb0.9Ba0.05Sr0.05(Sn1/3Nb2/3)0.06(Zn1/3Nb2/3)0.06Ti0.44Zr0.4403分别进行Co2O3、Sb2O3掺杂,Mn(NO3)2、Sb2O3掺杂的实验,以及陶瓷的不同成型工艺的比较实验.该PBSZT体系在相同烧结条件下,一定量的Sb2O,Mn(NO3)2掺杂下,体系机械损耗与介电损耗之比为0.09左右;而一定量的Co2O3、Sb2O3掺杂时,则其值在0.55左右.表明一定的材料组成下,机械损耗和介电损耗有较好的相关性,但同时不同成型方法也对同一组成的两种损耗的比值影响较大.

关键词: 锆钛酸铅 , 压电陶瓷 , 介电损耗 , 掺杂

不同组分PZT压电薄膜的性能

邵春玉 , 王兢 , 刘梦伟 , 董维杰 , 崔岩

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.02.005

采用sol-gel工艺在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了不同条件的锆钛酸铅(PZT)薄膜.分析了不同的前烘温度、不同锆钛比例对PZT薄膜的微观结构和电特性所产生的影响.SEM分析结果显示,铁电薄膜的晶化较完善,薄膜表面均匀致密.用X射线衍射分析了不同条件制备的PZT薄膜,表明薄膜的微观结构和取向不仅对热处理的条件非常敏感,而且也深受薄膜组分的影响.铁电测试表明对PZT(锆/钛=30/70),300℃热处理的薄膜具有最大的自发极化值.而对于不同锆钛比的薄膜,在准同型相界附近的53/47配比的PZT薄膜表现出最好的铁电性、介电性和最高的体电阻率.

关键词: 锆钛酸铅 , 溶胶-凝胶 , 前烘温度 , 薄膜组分 , 电滞回线

CNT/PZT/RTV复合材料的相结构及阻尼吸声性能

王娟娟 , 冯拉俊 , 晁小练 , 刘政 , 赵康

材料科学与工程学报

利用球磨-三辊研磨相结合的工艺,以碳纳米管(CNT)为导电相,RTV(RoomTemperature Vulcanized Silicone Rubbers)掺杂的钛酸铅(PZT)陶瓷为复合基体,制备了具有阻尼吸声功能的CNT/PZT/RTV复合材料.测试了二次高压极化前后体系的压电性能,用SEM、IR、XRD、DMA等技术考察了CNT含量对基体微观结构、化学结构、结晶状态、损耗、储能、阻尼等性能的影响规律,用驻波管法测试了400-1600Hz频率范围内复合材料的吸声性能.研究发现,CNT对PZT/RTV基体系在压电性能上有诱导极化的作用,能够增强极化效果,可以极大提高复合基体的损耗和储能模量,而并不影响基体系的化学结构,对复合材料微观结构影响不大.但是,CNT的添加可引起PZT晶格常数的增大,晶相的择优生长趋势增加.文中讨论了以上规律的机理,并报道了4wt.%CNT/PZT/RTV复合体系具有较优的综合性能,其损耗模量、储能模量、阻尼系数和吸声系数分别可达400MPa、4100MPa、0.23和0.6.

关键词: 碳纳米管 , 锆钛酸铅 , 相结构 , 阻尼 , 吸声

锆钛酸铅压电陶瓷主动元件在航天自适应桁架结构中的应用

段勇 , 何麟书

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2004.03.013

阐明了PZT压电材料的正、逆压电效应以及相应的压电作动器的机电耦合原理.针对航天自适应桁架结构的特点,运用PZT压电作动器进行了振动抑制实验并取得了良好的效果.

关键词: 锆钛酸铅 , 压电作动器 , 自适应桁架结构 , 振动抑制

硅基高度择优取向PZT厚膜的制备及性能研究

刘保亭 , 程春生 , 赵庆勋 , 闫正 , 马良 , 李锋 , 武德起

功能材料

应用溶胶-凝胶法成功地在以SrTiO3(STO)为模板/阻挡层Si(001)基片上制备了La-Sr-Co-O/ Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(PZT)/La-Sr-Co-O/STO/Si异质结,PZT的厚度为0.8μm.研究了异质结的结构和性能.实验发现,PZT结晶良好、具有(001)高度择优取向以及较高的极化强度和较小的极化强度对脉冲宽度的依赖性;当外加电压为50V时,电阻率仍>108Ω·cm.

关键词: 硅衬底 , 锆钛酸铅 , 溶胶-凝胶法 , 厚膜

组成对锆钛酸铅铁电薄膜电性能影响的研究进展

钟世兴 , 蔡苇 , 符春林 , 刘凯华

硅酸盐通报

锆钛酸铅材料因具有优异的介电、压电和铁电性被广泛用于制作电容器、压电器件和铁电随机存储器等功能器件.本文综述了锆钛酸铅铁电薄膜材料中锆钛比、掺杂种类及掺量对其介电性和铁电性的影响,并提出了亟待解决的问题.

关键词: 锆钛酸铅 , 组成 , 掺杂 , 介电 , 铁电

基于原子力显微技术的PZT微阵列图形铁电性能

徐国敏 , 赵高扬 , 张卫华 , 邓小翠 , 谭红 , 何力

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.013

应用基于原子力显微镜与铁电分析仪联用的方法,在无顶电极的情况下,直接测试了PZT微阵列格点的电滞回线.结果表明,应用铁电分析仪与原子力显微镜联用的测试技术能够表征铁电电容的电滞回线,并且可以定性地评价薄膜微电容的铁电特性.

关键词: 锆钛酸铅 , 铁电薄膜 , 电滞回线 , 微细图形

La0.7Sr0.3MnO3-Pb(Zr,Ti)O3双层膜中的磁电(ME)效应

张宁 , 印晓明 , 张茹 , 范军峰 , 王淼 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.008

由溶胶-凝胶法制备出锰酸盐La0.7Sr0.3MnO3粉料,经1300K热压并在1573K高温下烧结成块材,并与Pb(Zr,Ti)O3胶合形成弹性耦合双层膜.相较于涂敷膜(tape casting)复合样品,该双层膜显示出更为优良的ME耦合效应.横向耦合要比纵向耦合更为强烈,并当外加磁场为150 Oe时ME电压系数达到峰值.分析表明由磁场和频率变化导致的ME系数变化的实验值与理论值符合的很好.

关键词: ME效应 , 双层膜 , 锰钙钛矿 , 锆钛酸铅

剪切模式压电驱动元件及其表征

张志刚 , 谢丹 , 刘志弘 , 朱均

稀有金属材料与工程

基于标准的等效电路模型,用介电的方法研究剪切模式压电驱动元件的性能.对于剪切模式压电驱动元件,电阻-频率曲线上呈现一个或几个响应频率.对应于响应频率,模量的实部(实部电阻)呈现相应的极大值.理论和实验均表明,具有较大模量实部的压电驱动元件也具有较好的机械品质因子和耦合系数.所以,可以用测量对应于响应频率的模量实部的大小来表征剪切模式压电驱动元件的压电性能.系统研究了极化状态对剪切模式压电驱动元件性能的影响,对于极化沿陶瓷片方向的情形,响应频率处的实部电阻很大,当去掉极化后,相应的响应频率处的实部电阻变得很小,而施加的极化垂直于陶瓷片方向时,几乎测不到响应频率.应此,为得到更好的压电性能,必须对剪切模式压电驱动元件的沿陶瓷片方向进行预极化;为保证剪切驱动元件保持有较好的性能,所加的操作电压不能超过陶瓷片的矫顽电压.对于驱动元件的低温研究显示,压电陶瓷在极低温下依然保留有很好的压电性能,这表明剪切模式压电驱动元件完全适用于低温情形.

关键词: 剪切模式 , 压电陶瓷 , 锆钛酸铅 , 喷墨打印头 , 耦合系数

硅基BiFe0.95Mn0.05O3/Pb(Zr0.4Ti0.6)03/BiFe0.95Mn0.05O3集成薄膜的结构及其铂电极电容器的性能

马闻良 , 刘保亭 , 王宽冒 , 边芳 , 李晓红 , 赵庆勋

机械工程材料

用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了BiFe0.95Mn0.05O3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/BiFe0.05O3(BFMO/PZT/BFMO)集成薄膜,采用X射线衍射仪分析了其物相结构;采用铁电测试仪考察了该集成薄膜与铂极构成的铁电电容器的性能.结果表明:该集成薄膜结晶较好,除BFMO、PZT及基片的衍射峰外没有其它衍射峰存在;当电场强度为0.7 MV·cm-1时,Pt/BFMO/PZT/BFMO/Pt电容器的电滞回线对称性良好,剩余极化强度为17.9μC·cm-2,矫顽力为0.12 MV·cm-1;在电场强度为0.4 MV·cm-1下测得的铁电电容器漏电流密度为2×10-5A·cm-2,电容器在经过1010次反转后未出现明显的疲劳现象.

关键词: 溶胶-凝胶法 , 掺锰铁酸铋 , 锆钛酸铅 , 漏电流 , 集成薄膜

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