高锦成
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李正亮
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曹占锋
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姚琪
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关峰
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惠官宝
硅酸盐通报
为优化金属氧化物薄膜晶体管（ IGZO-TFT）的特性，采用射频磁控溅射法沉积IGZO薄膜作为半导体活性层，制备出具有刻蚀阻挡层（ Etch stop layer ，ESL）结构的IGZO TFT，在2．5 G试验线上研究了IGZO沉积过程中O2浓度、IGZO沉积后N2 O等离子体处理、ESL的制备温度和ESL沉积过程中N2 O／SiH4的比例等关键工艺条件对IGZO TFT的阈值电压（ Vth ）的影响。实验结果表明：IGZO沉积过程中O2浓度的增加、IGZO沉积后N2 O等离子体处理和ESL制备温度的降低会导致IGZO TFT的Vth正偏移。
关键词:
铟镓锌氧化物薄膜晶体管
,
刻蚀阻挡层
,
N2 O等离子体
,
阈值电压
