陈龙龙
,
张建华
,
李喜峰
,
石继锋
,
孙翔
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153005.0796
讨论了基于柔性 PI 基底上的底栅型 TFT 器件工艺,通过工艺优化解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角形状。本文 TFT 器件是基于氧化物 IGZO 为有源层,栅绝缘层采用 Si3 N4/SiO2双层结构,采用两次补偿曝光、干刻方式消除干刻引入的下切角形状,有效解决了薄膜沉积引入的断线风险。实验结果表明,经过 SEM 断面观察,干刻后双层结构taper 角度适合 TFT 器件后续沉膜条件,柔性基底上制作的 TFT 器件迁移率达到14．8 cm2/(V.s),阈值电压 V th 约0.5 V,亚域值摆幅 SS 约0．5 V/decade,TFT 器件的开关比 I on/I of ＞106。通过此方法制作出的器件性能良好,满足LCD、OLED 或电子纸的驱动要求。
关键词:
柔性
,
薄膜晶体管
,
铟镓锌氧化物
,
迁移率
