贾婷婷
,
林辉
,
滕浩
,
侯肖瑞
,
王军
,
周圣明
人工晶体学报
氮化镓基(GaN)光电器件的快速发展,对GaN的质量提出更高的要求,同质外延可以避免由于失配引起的缺陷,厚膜生长是解决GaN体材料生长困难的有效手段.氢化物气相外延(HVPE)是目前最普遍的制备氮化镓厚膜的方法.衬底对于GaN厚膜的影响不可忽视,本文总结了在蓝宝石、碳化硅和铝酸锂衬底上制备GaN厚膜的研究进展,讨论了今后的研究方向.
关键词:
氮化镓
,
HVPE
,
蓝宝石
,
碳化硅
,
铝酸锂
邹军
,
彭观良
,
陈俊华
,
李抒智
,
杨卫桥
,
周国清
,
徐军
,
周圣明
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.024
本文采用导向温度梯度法生长出了透明γ-LiAlO2晶体,借助扫描电镜和X射线粉末衍射系统地研究了温度梯度法生长晶体的工艺过程,坩埚中晶体上部为LiAl5O8和LiAlO2多晶体,中部[100]方向自由结晶形成了单一透明的γ-LiAlO2晶体,下部为钼金属颗粒,蓝宝石籽晶被严重污染;坩埚内分成上、中、下三部分是晶体生长过程中熔体组分中Li2O挥发和腐蚀造成的.
关键词:
铝酸锂
,
导向温度梯度法
,
钼
,
氧化锂
刘勋
,
吉红新
,
胡亚敏
,
谢礼梅
,
杨定明
人工晶体学报
采用溶胶-共沉淀方法合成了γ-LiAlO2基红色荧光粉,用TG-DSC、XRD、SEM、FL等检测手段对样品进行了表征.结果表明:样品为具有四方晶系结构的γ-LiAlO2晶型,粒度分布均匀,粒径为2～3 μm.其荧光性能与热处理温度及Eu,Li的掺杂浓度密切相关,掺杂的γ-LiAlO2荧光粉呈现出Eu的特征发射,其发射主峰位于613 nm处,对应于Eu的5D0→7F2跃迁.
关键词:
溶胶共沉淀法
,
铝酸锂
,
荧光性能
高志强
,
沈晓冬
,
崔升
,
肖苏
材料导报
介绍了铝酸锂(LiAlO2)粉体的物理化学性能以及其目前的主要应用,特别是对LiAlO2粉体的多种合成方法进行了全面详细的介绍,比较了各种合成方法对粉体粒径及其分布、比表面积以及相组成等的影响,并展望了LiAlO2的潜在应用和发展.
关键词:
铝酸锂
,
粉体合成
,
应用
邹军
,
周圣明
,
张连翰
,
徐军
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.01.003
采用提拉法快速(6mm/h)生长了透明、φ45mm×50mm完整的铝酸锂晶体,但晶体中下部出现了一个树状、乳白色的核芯.分别从透明和乳白色核芯部位取样,研磨作粉末X射线衍射测试,发现两个样品所有的衍射峰均可以用γ-LiAlO2指标化.双晶摇摆曲线显示晶体透明和乳白色部位的半高宽分别为116.9arcsec和132.0arcsec,结晶质量较差.通过三步气相传输平衡法(简称VTE)处理后,透明部位半高宽值(FWHM)降至44.2arcsec,乳白色部位FWHM值降至53.3arcsec.结合快速生长和VTE技术,可以得到40mm×40mm高质量的铝酸锂晶片.
关键词:
气相传输平衡法(VTE)
,
铝酸锂
,
提拉法
