李丽波
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李琦
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王珩
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杨秀春
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田海燕
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谢菁琛
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王文涛
稀有金属材料与工程
采用电沉积的方法制备铜铟硫(CuInS2,CIS2)薄膜,紫外可见光谱仪测试结果表明电沉积制备的CIS2薄膜的禁带宽度为1.5 eV.X射线光电子能谱(XPS)分析表明,薄膜中的铜、铟、硫元素的价态分别为+1,+3和-2.采用线性伏安扫描测试了薄膜的光电性质,在黑暗和光照的条件下,I-V曲线斜率变化率为0.6×10-3.运用DMol3和CASTEP模块计算了电沉积制备的铜铟硫薄膜的禁带宽度,其数值为1.5 eV.通过Materials Studio建立了电沉积制备出的铜铟硫薄膜的结构和XRD模拟谱图,与实验结果一致.
关键词:
铜铟硫薄膜
,
电沉积
,
结构
,
禁带宽度
