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原词结果 | 译词结果

铜膜化学机械抛光工艺优化

李炎 , 刘玉岭 , 李洪波 , 樊世燕 , 唐继英 , 闫辰奇 , 张金

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2014.07.009

对d为300 mm blanket铜膜进行了低压低浓度化学机械抛光实验,分析了抛光工艺参数和抛光液组分对铜膜去除速率及其非均匀性的影响.通过实验表明,当抛光压力为13.780kPa,抛光液流量为175 mL/min,抛光机转速为65 r/min,0.5％磨料,0.5％氧化剂,7％鳌合剂,铜膜去除速率为1 120 nm/min,片内速率非均匀性为0.059,抛光后铜膜表面粗糙度大幅度下降,表面状态得到显著改善.

关键词: 化学机械抛光 , 碱性抛光液 , 磨料 , 片内速率非均匀性 , 表面粗糙度 , 铜膜

无磨料复合清洗剂对铜膜表面腐蚀缺陷的控制

李炎 , 刘玉岭 , 卜小峰 , 孙铭斌 , 杨志欣 , 张男男 , 张玉峰 , 程川

表面技术

目的：研究一种复合清洗剂对铜膜表面腐蚀缺陷的控制效果。方法通过单因素实验优化无磨料复合清洗剂组成和相应的清洗工艺,并通过研究优化的清洗条件对不同类型铜晶圆表面划伤、残留颗粒的清洗效果,验证该清洗剂的清洗性能。结果优化的清洗剂组分和清洗工艺为：金属离子螯合剂体积分数0.025%,表面活性剂体积分数0.1%；清洗剂温度30℃,清洗剂流量3 L/ min。优化的复合清洗剂能大幅度降低铜膜表面划伤和表面粗糙度,对铜膜表面残留的颗粒有较强的去除作用。结论优化的复合清洗剂能够对不同类型铜晶圆表面缺陷进行大幅度的修正,研究成果对提高大规模生产中晶圆的成品率有一定的指导作用。

关键词: 复合清洗剂 , 大分子螯合剂 , 表面活性剂 , 铜膜 , 腐蚀速率

光诱导液相沉积 Ni/Cu 应用于晶硅电池栅线的制备

宁婕妤 , 刘邦武 , 夏洋 , 李超波

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.01.033

采用光诱导液相沉积(LIP)的方法制备了Ni、Cu 薄膜,并进一步讨论了沉积温度等相关因素对薄膜成分与形貌的影响.采用 X 射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪等分别对薄膜的成分、形貌、电阻率、非均匀性等进行表征.结果显示,制备的 Cu 膜电阻率为1．87×10-8Ω??m,非均匀性为2．64％.此外,将制备的 Ni/Cu 工艺应用于制备晶硅电池的栅线电极,用 I-V 测试仪测试电池参数,填充因子高达77．8％.

关键词: 镍膜 , 铜膜 , 光诱导电沉积 , 表征 , 制备

直流脉冲磁控溅射铜膜的结构与性能研究

谈淑咏 , 张旭海 , 朱迪 , 陈健 , 蒋建清

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.02.026

采用直流脉冲磁控溅射法制备铜膜,利用X射线衍射法分析薄膜相结构,通过扫描电镜观察薄膜形貌,基于纳米压痕载荷-位移曲线计算薄膜的硬度、弹性模量和接触刚度,同时采用显微硬度法测量薄膜硬度,系统研究了溅射功率和偏压对铜膜结构和力学性能的影响.结果表明,通过纳米压痕载荷-位移曲线计算薄膜力学性能是可靠的.随着溅射功率的增大,铜膜生长取向几乎无变化,均呈无择优生长状态,弹性模量、接触刚度基本不变,硬度略有减小;偏压增大会使铜膜呈现明显的(111)取向生长,接触刚度、弹性模量和硬度呈下降趋势.

关键词: 铜膜 , 纳米压痕 , 弹性模量 , 硬度 , 接触刚度

<111>生长铜膜中孪晶形成与出现几率的分子动力学模拟

周耐根 , 周浪

金属学报

运用分子动力学和静力学方法对,<111> 生长铜膜中孪晶形成的原子过程与能量进行 了模拟研究. 所用的原子间相互作用势为 Finnis-Sinclair型镶嵌原子法(EAM)势. 模 拟和计算分析结果表明, <111>生长铜膜表面沉积原子在不同局部可形成正常排列的fcc畴 或错排的hcp畴；沉积原子处于hcp位置时体系的能量比fcc位置时要高, 其增量决定了孪 晶面出现几率. 沉积原子错排能还受相邻{111}孪晶面的影响, 其间距小于3个原子层厚时, 沉积原子错排能与不形成孪晶的Al晶体表面沉积原子错排能相当, 此时形成 孪晶面的几率极低; 随间距的增加, 表面沉积原子错排能迅速降低, 在间距达到约12个原 子层厚以后, 降到略低于完整Cu晶体{111}表面的沉积原子错排能, 这表明此时出现 孪晶面的几率比在完整晶体表面形成一个新的孪晶面的几率要大.

关键词: 铜膜 , twin , molecular dynamics

〈111〉生长铜膜中孪晶形成与出现几率的分子动力学模拟

周耐根 , 周浪

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2004.09.001

运用分子动力学和静力学方法对〈111〉生长铜膜中孪晶形成的原子过程与能量进行了模拟研究.所用的原子间相互作用势为Finnis-Sinclair型镶嵌原子法(EAM)势.模拟和计算分析结果表明,〈111〉生长铜膜表面沉积原子在不同局部可形成正常排列的fcc畴或错排的hcp畴;沉积原子处于hcp位置时体系的能量比fcc位置时要高,其增量决定了孪晶面出现几率沉积原子错排能还受相邻{111}孪晶面的影响,其间距小于3个原子层厚时,沉积原子错排能与不形成孪晶的Al晶体表面沉积原子错排能相当,此时形成孪晶面的几率极低;随间距的增加,表面沉积原子错排能迅速降低,在间距达到约12个原子层厚以后,降到略低于完整Cu晶体{111}表面的沉积原子错排能,这表明此时出现孪晶面的几率比在完整晶体表面形成一个新的孪晶面的几率要大.

关键词: 铜膜 , 孪晶 , 分子动力学

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