肖怀安
,
朱世富
,
赵北君
,
唐世红
,
王立苗
,
周义博
,
易希昱
人工晶体学报
Cu单晶在中子单色器、激光核聚变和音频信号传输等方面有着广泛的应用前景.根据对Cu晶体的差热分析结果,设计并制作了硅钼棒加热单晶生长炉,获得了适合Cu单晶体生长的温场.采用改进的垂直布里奇曼法成功生长出外观完整、表面光滑、尺寸为15 mm×35 mm的Cu单晶体.对生长的晶体进行切割、抛光腐蚀后,采用金相显微镜和X射线衍射分析,结果表明:研究设计的温场适合Cu单晶体的生长,生长出的晶体结晶性好、结构完整.
关键词:
铜单晶
,
温场研究
,
差热分析
,
晶体生长
,
性能表征
娄有信
,
王继扬
,
张怀金
,
李强
人工晶体学报
采用提拉法生长出大尺寸(111)铜单晶,晶体尺寸为ф(12～19)mm×85 mm.通过XRD、金相显微分析讨论了铜单晶的晶体结构与生长缺陷,并采用双臂电桥测定(111)铜单晶的电阻率.结果表明:晶体具有(111)取向、强度高,表明晶体取向良好;蚀坑呈典型三角锥形,位错密度在105～106 cm-2之间;在室温下,(111)铜单晶电阻率为1.289×10-8Ω·m.
关键词:
铜单晶
,
提拉法
,
晶体生长
,
晶体缺陷
唐世红
,
赵北君
,
朱世富
,
肖怀安
,
姚超
,
何知宇
,
陈宝军
人工晶体学报
采用改进的垂直布里奇曼法生长出外观完整、表面光滑、尺寸为φ15 mm×35 mm的Cu单晶体,报道了一种铜单晶定向的新方法.将生长出的铜晶锭在浓度为40%的硝酸溶液中浸蚀10 min左右,晶锭表面出现取向一致的反光面,用激光正反射法对其表面的反光面进行初步定向,再参照X射线衍射回摆谱对晶面进行修正,得到了铜晶体的(111)、(200)和(220)晶面,进而得到任意所需的晶面.该方法对于制作铜单品器件具有重要参考价值.
关键词:
铜单晶
,
定向
,
激光正反射法
,
X射线衍射
许振明
,
李丽
,
李建国
,
傅恒志
,
周尧和
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.015
本文采用自制单晶连铸设备和X射线衍射方法研究连铸铜单晶的晶体取向与竞争生长.结果表明,在晶体演化过程中逐渐淘汰的晶面为(311)、(200)和(111),最后单晶生长的晶面为(200),连铸铜单晶的晶体生长方向为[100],晶体取向[100]与晶轴的偏离度小于10°.单晶生长时固液界面向熔体呈凸出形状,这有利于晶体生长过程中的竞争和淘汰.还发现了连铸铜单晶取向在一定范围内,并不是唯一取向的单晶.
关键词:
铜单晶
,
连续铸造
,
晶体取向
,
竞争生长
周杨
,
李小武
,
张广平
,
张哲峰
材料科学与工艺
为了更细致地揭示面心立方金属单晶体的循环变形机制,利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察研究了Schmid因子为0.5的[4 18 41]单滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构.实验表明,在单滑移铜单晶体中,胞结构除了在高应变幅下的循环变形中出现外,还可能出现在循环应力-应变(CSS)曲线平台区的较低塑性应变幅下.驻留滑移带(PSBs)会随应变幅的增大而在试样表面聚集成内部含有位错胞的粗滑移带,带内的位错胞结构被认为是由于带内滑移阻力增大引起的应变集中所致形成的.此外,CSS曲线高应变幅区起始部分对应的循环饱和位错结构观察揭示出迷宫结构和胞结构是由PSBs逐渐演变而成的.
关键词:
铜单晶
,
循环变形
,
位错结构
,
SEM-ECC
,
驻留滑移带PSBs
肖素红
,
郭敬东
,
吴世丁
,
何冠虎
,
李守新
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2002.02.012
对疲劳后的[123]铜单晶体进行高电流密度脉冲处理可以形成多边形与椭圆形两种再结晶晶粒,晶粒尺寸分别为7.2-8.8μm和5.3-8.0μm.高电流密度脉冲处理造成的位错湮没会增大局部位错分布不均匀区域的位错密度梯度,从而形成再结晶的晶核.由于脉络结构分布均匀.在这一区域形成的再结晶晶粒没有明显的方向性而在驻留滑移带处形成的再结晶晶粒,由于位错的运动在平行于Burgers矢量的方向容易进行.因此形成的再结晶晶粒的尺寸沿这一方向要大一些在驻留滑移带处由脉冲电流处理引起的局部温升,增加了位错运动的可能性,导致再结晶晶粒之间间隔一定距离由于电脉冲作用时间很短.晶粒没有足够的时间长大.从而形成晶粒尺寸较小的再结晶晶粒.
关键词:
铜单晶
,
疲劳
,
再结晶
,
脉冲电流
杨瑞青
,
李守新
,
李广义
,
张哲峰
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.03.004
采用分离式Hopkinson压杆装置(SHPB)和扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术研究了不同取向疲劳态铜单晶高应变率压缩下形成的绝热剪切带(ASB).实验表明,ASB形成的临界应变与晶体取向有关,接近压缩临界双滑移取向晶体需要的临界应变最小,单滑移和压缩共轭双滑移取向的次之,共面双滑移取向的最大.本实验条件下形成的ASB内部典型的位错组态为位错胞结构,未观察到再结晶现象.根据空间位向,ASB可以分为3类:第1类非常接近铜晶体疲劳时形成的第2类形变带(DBⅡ)平面,其临界应变最小;第2类ASB位向或者比较接近DBⅡ平面或者比较接近第1类形变带(DBⅠ)平面,其临界应变居中;第3类ASB位向与DBⅠ和DBⅡ平面均不接近,其临界应变最大.
关键词:
铜单晶
,
Hopkinson压杆
,
绝热剪切带
,
形变带
吴世丁
,
李强
金属学报
以铜单晶为模型材料, 采用扫描电镜电子通道衬度术（ＳＥＭ－ＥＣＣ）和透射电子显微技术, 在不同民度上研究了单次和两次等通道转角挤压过程珠剪切形变特征结果表明：（１）一次ＥＣＡＴ挤压产生的剪切形变取向与理论预测和相接近, 但剪切形变表现出局部化特征, 出现了微观尺度上的剪切带；（２）两次ＥＣＡＥ产生的两套剪切带间存在着交互作用, 导致剪切带出现分叉现象, 方向也与理论预测结果与偏差.
关键词:
铜单晶
,
null
,
null
