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铁电畴反转机理的研究

于建 , 倪文俊 , 赵玉强 , 李世忱 , 陈云琳 , 宋峰

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.02.004

从铁电畴极化反转的动力学出发,针对铁电畴反转过程中的新畴成核和畴壁运动两个过程,对用外加极化电场实现铁电畴反转的机理进行了理论分析研究,并就低电场和高电场两种条件下的开关时间进行了实验验证.结果表明,实验值与模型计算值吻合较好.

关键词: 铁电畴反转 , 极化电场 , 开关时间 , 铌酸锂晶体

Mg:Sc:Fe:LiNbO3晶体缺陷结构和全息存储性能

罗伟 , 桂强 , 郑威

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.007

采用提拉法,从Li/Nb变化(0.94,1.05,1.20,1.38)的熔体中生长出Mg:Sc:Fe:LiNbO3晶体.Li/Nb=1.05的晶体OH-振动吸收峰在3504cm-1处出现的主吸收峰,且在3466cm-1、3481m-1处有两附加峰.Li/Nb=1.38的晶体OH-振动吸收峰在3535cm-1处出现附加吸收峰.红外光谱结果表示Li/Nb=1.05的晶体是近化学剂量比的,且Sc掺质优先于Mg掺质达到阈值浓度.采用透射光斑畸变法测得Mg:Sc:Fe:LiNbO3晶体(Li/Nb=1.05)的抗光损伤能力为2.0×104W/cm2,比Fe:LiNbO3提高了三个数量级.采用波长为632.8nm的He-Ne激光器作为光源,通过二波耦合方法测试晶体全息存储性能.实验结果表明:随着Li/Nb的增加,晶体的写入时间缩短,晶体的衍射效率降低,光折变灵敏度增加,动态范围减少.在一系列晶体中,Mg:Sc:Fe:LiNbO3晶体(Li/Nb=1.05)更加适合作为全息存储介质.

关键词: 铌酸锂晶体 , 提拉法 , 全息存储性能 , 缺陷结构

铒镱双掺的钒酸钇和铌酸锂晶体中的铒离子的上转换发光

阮永丰 , 坪井泰住 , 杜天敏

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.013

利用J-O理论,计算了在铒、镱双掺的钒酸钇和铌酸锂晶体中的铒离子在室温下的晶场唯象参数Ωλ(λ=2,4,6)及辐射跃迁几率、无辐射跃迁几率和共振跃迁几率.考虑到铒、镱间的能量转移,写出了在这些晶体中的铒离子的速率方程.速率方程的解表明,在铒、镱双掺的钒酸钇晶体中的铒离子的550 nm的上转换发光,比它在铒、镱双掺的铌酸锂晶体中更为有效.这一理论结果与我们的实验观察结果一致.

关键词: 上转换发光 , 铒、镱双掺 , 钒酸钇晶体 , 铌酸锂晶体 , J-O理论 , 速率方程

太赫兹声子极化激元在LiNbO3微结构中的衍射和干涉动态过程的时间分辨成像

杨程亮 , 吴强 , 禹宣伊 , 张心正 , 孔勇发 , 许京军

人工晶体学报

利用飞秒激光脉冲,在50μm厚的铌酸锂晶体薄片中产生了太赫兹声子极化激元波.使用飞秒加工技术在铌酸锂晶体薄片上刻制了针对太赫兹声子极化激元波的衍射和干涉微结构.利用已经构建的偏振门探测成像系统实时动态地记录了太赫兹声子极化激元波的时间和空间传播过程.对不同频率的声子极化激元波在不同尺寸狭缝的动态衍射和干涉的过程进行了时间分辨的二维成像探测和分析,直观地展示了其衍射和干涉的时空特性.

关键词: 铌酸锂晶体 , 太赫兹 , 声子极化激元 , 时间分辨成像 , 衍射 , 干涉

近化学计量比铌酸锂晶体中机械孪晶的消除

宣晓峰 , 赵均 , 张学进 , 朱永元

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.010

在用掺钾的助熔剂提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体时,长出的晶体尾部很容易出现孪晶裂纹现象,这种孪晶被认为是机械孪晶.这种孪晶的起因是由于晶体生长的收尾和从熔体中提起晶体阶段,在晶体底部产生直径的缩进,在缩进产生的台阶处出现应力集中,从而造成孪晶的成核.通过采用适当的收尾过程,以避免直径台阶的出现,可以很好地消除这种孪晶及其引起的裂纹.

关键词: 铌酸锂晶体 , 化学计量比 , 晶体生长 , 机械孪晶

利用静电聚苯乙烯纳米微粒对LiNbO3铁电畴结构的观测

柯常 , 祁鸣 , 刘宏 , 王继扬

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.012

利用静电聚苯乙烯纳米微粒缀饰技术,在铁电晶体铌酸锂(LiNbO3)的极性表面观察到铁电畴表面束缚电荷吸附带异性电荷纳米小球所形成的衬度图像,正负电畴衬度图像清晰稳定.这种对铁电晶体表面电畴结构进行表征的新方法不会对样品造成任何程度的损伤和破坏,操作简便易行,并具有较高的分辨率.

关键词: 带电纳米微粒缀饰技术 , 铌酸锂晶体 , 铁电畴结构 , 表面束缚电荷

适用于宽温度范围高稳定的Q开关LiNbO3晶体

吕衍秋 , 袁多荣 , 魏学成 , 孙海清 , 段秀兰 , 王增梅 , 王新强 , 吕孟凯 , 许东

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.03.002

分析了俄罗斯的Q开关LiNbO3晶体的成分,这种开关用在Nd∶YAG激光测距仪上,能够在温度-50~50℃范围内稳定工作.通过测量紫外吸收边的位置、红外振动光谱、晶格常数和居里温度的方法,测出晶体中的锂铌比([Li]/[Nb])为49.02/50.98.分析认为晶体中的锂铌比是影响LiNbO3晶体Q开关温度稳定性的主要因素.

关键词: Q开关 , 非同成分 , 居里温度 , 晶格常数 , 铌酸锂晶体

掺杂LiNbO3晶体的生长缺陷与其体全息存储性能的研究

刘金伟 , 刘国庆 , 江竹青 , 陶世荃

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.021

本文叙述了利用侵蚀法研究掺杂LiNbO3的晶体缺陷,并讨论了晶体缺陷的形成机理以及其与体全息存储性能的关系.通过实验发现了常温下侵蚀铌酸锂晶体的规律,并利用侵蚀法观测到铌酸锂晶体样品表面呈三角锥状的位错侵蚀坑.测量了晶体样品的散射噪声,从中找出了晶体缺陷与存储图像质量关系.并发现掺Zn的Fe:LiNbO3晶体其晶体缺陷减少,晶体体全息存储性能有了明显提高.

关键词: 铌酸锂晶体 , 位错缺陷 , 侵蚀观测法 , 散射噪声 , 体全息存储

助熔剂提拉法生长化学计量比LiNbO3晶体

孙敦陆 , 杭寅 , 张连瀚 , 钱小波 , 李世峰 , 徐军 , 罗国珍 , 祝世宁 , 朱永元 , 林培江 , 洪荣华 , 邓棠波

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.020

利用助熔剂提拉法,分别从掺入11mol%K2O的同成份LiNbO3熔体中和从掺入19mol%*!K2O的化学配比LiNbO3熔体中生长出高质量近化学计量比LiNbO3单晶.对这两种从不同配比熔体中生长的晶体进行光谱分析表明,与同成份比LiNbO3相比较,其紫外吸收边出现明显蓝移,OH红外吸收峰的位置和线宽也都有显著的变化.室温极化反转测试显示,两种晶体的矫顽场分别为4.4kV/mm和0.8kV/mm.根据所得测量结果,估计两种晶体中Li2O的含量分别为49.6mol%和49.9mol%.其中从掺19mol% K2O化学配比LiNbO3熔体中生长出的LiNbO3单晶的Li2O含量已非常接近50mol%的化学配比.进一步优化生长工艺,获得成份均匀、大尺寸化学计量比晶体的工作正在进行中.

关键词: 铌酸锂晶体 , 化学计量比 , 助熔剂提拉法 , 吸收光谱

铌酸锂晶体电击穿特性的研究

韦伟 , 于建 , 纪磊 , 倪文俊 , 桑梅 , 任铁雄 , 李世忱

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.014

从电介质的击穿机理出发,用数学方法描述了电极注入电荷被介质捕获的全过程,详细分析了电介质的击穿特性并得出了电击穿现象的理论公式,通过同成分铌酸锂晶体和掺锌铌酸锂晶体的极化和击穿实验对理论分析的结果进行了验证,试验现象与理论分析吻合较好.

关键词: 准相位匹配 , 铌酸锂晶体 , 外加电场极化 , 电击穿 , 电介质

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