杜文龙
,
梁庭
,
薛晨阳
,
唐建军
,
叶挺
材料科学与工程学报
铌酸锂晶体具有较强的热释电效应,由铌酸锂制作的红外传感器敏感头受到科研人员的广泛关注.将晶片与硅衬底在200℃和压力100N的条件下键合,利用自行设计的磨具将铌酸锂减薄到40微米,磨料由水与刚玉以1:1的比例制成.本文讨论了铌酸锂键合的过程,减薄的过程及厚度测试,通过拉曼光谱分析残余应力,通过原子力显微镜测试样品表面粗糙度.研究结果表明,通过自行设计的磨具研磨的晶片厚度最大差值7微米,较为均匀;研磨后晶片表面粗糙度为118纳米,较为粗糙;键合后存在一定的残余应力.制作好的铌酸锂晶片符合制作红外传感器敏感头的要求.
关键词:
铌酸锂
,
研磨
,
晶片
,
拉曼
,
原子力
姚琲
,
李春艳
,
张长亮
,
薛涛
,
桑梅
,
王慧
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.027
采用电脉冲极化方法制作出周期性反转电畴微结构.利用热腐蚀法制备出用于环境扫描电镜(ESEM)研究反转电畴结构的样品.通过ESEM的观察与分析,在光栅电极下方,铁电畴发生了极化反转,反转区域在y方向上有所扩展,在Z方向逐渐变窄,没能贯穿整个晶片.通过控制光栅电极的纵宽比和电压脉冲的参数,可以在晶片的表面或一定深度得到占空比为1:1的正、负铁电畴交替排列的结构,达到准相位配的目的.观测到竹叶状二次电子图像衬度,它是由制样过程中局部产生应力造成的,这说明利用ESEM可以研究压电材料中的电荷分布.
关键词:
铌酸锂
,
铁电畴
,
电场极化
,
反转
,
环境扫描电镜
吕衍秋
,
袁多荣
,
魏学成
,
吕孟凯
,
许东
,
王重海
,
孟宪谦
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2004.02.020
通过在同成分的熔体中加入0～10%(质量分数)的K2O提拉法生长了近化学计量比的LiNbO3晶体.用测量晶格常数和居里温度的方法测定了[Li]/[Nb],结果表明加入到同成分的熔体中的K2O的量决定了晶体中的[Li]/[Nb].对这种方法生长的LiNbO3晶体的缺陷和畴结构进行了分析和研究.
关键词:
铌酸锂
,
化学计量比
,
提拉法
,
晶格常数
纪磊
,
于建
,
倪文俊
,
武星
,
桑梅
,
李世忱
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.009
本文采用有限元方法分析外加电场法对铁电体进行周期极化时的电场分布,讨论尖端效应对极化的影响,比较两种不同的电极设计方案-梳形电极和框形电极的优劣.分析了多周期光栅同时极化时的电场分布,推断了大周期与小周期之间存在的竞争现象.本文最后对光刻造成周期电极的断条、毛刺工艺缺陷和液体电极方案的残留气泡缺陷进行了探讨.数值计算得出的结论比较圆满地解释了实验中的许多现象.
关键词:
非线性光学
,
准相位匹配
,
铌酸锂
,
周期极化
,
外加电场法
,
有限元法
师丽红
,
阎文博
,
刘建伟
人工晶体学报
本文研究了低光强下锂组分对纯铌酸锂晶体的可见光折变、紫外光致吸收及紫外光折变性能的影响,发现了光折变中心种类和数量随晶体组分的渐变行为.在组分较低的同成分晶体中,大量本征缺陷形成Q极化子,因而在可见光波段表现出较弱的光生伏打效应;在组分较高的近化学计量比铌酸锂晶体中,双极化子是主要光折变中心,从而引起较高的光生伏打电场.而纯铌酸锂晶体的紫外光致吸收以及紫外光折变性能则具有相似的组分依赖关系.它们随组分的增加过程可分为两个不同的阶段:当组分小于49.70 mol%时,随组分增加缓慢升高,而当组分高于49.70 mol%时,随组分突然猛增并迅速升高.上述实验结果也可采用本征缺陷由Q极化子主导向双极化子主导的渐变过程进行解释.
关键词:
铌酸锂
,
全息存储
,
光生伏打
,
光致吸收
范志新
,
刘新福
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.01.016
本文把一个从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到铌酸锂晶体材料.该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程.该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系,进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式.系统地分析了铌酸锂晶体材料的掺杂改性的实验结果,应用掺杂最佳含量表达式定量计算了铌酸锂晶体材料的最佳掺杂含量,定量计算的结果与实验数据是比较接近的.该理论方法也适用于其他薄膜材料最佳掺杂含量的理论计算.
关键词:
铌酸锂
,
制备方法
,
最佳掺杂含量
,
理论计算
纪磊
,
于建
,
倪文俊
,
武星
,
桑梅
,
李世忱
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.033
外加电场法制备周期极化铌酸锂工艺的众多结构参数对极化进程有潜在的影响.本文采用数值方法系统的分析了周期极化的重要结构参数的影响,这些参数包括绝缘层介电常数、绝缘层厚度、电极宽度、外加电压幅度和光栅周期.证明了对极化进程影响最为显著的是电极宽度、外加电压幅度和光栅周期,它们应该是设计极化结构时需要考虑的主要参数.相对的,绝缘层介电常数、绝缘层厚度对极化进程的影响在一定条件下可以忽略.本文由此推论了一种简洁合理的极化结构设计步骤.另外,本文得到了光栅周期与最优电极宽度的二次拟合公式,它为设计提供了依据,降低了复杂程度.
关键词:
非线性光学
,
准相位匹配
,
铌酸锂
,
周期极化
,
外加电场法
柯笑晗
,
陈云琳
,
朱亚彬
,
范天伟
人工晶体学报
在铌酸锂(LN)晶体衬底上磁控溅射铟锡氧化物(ITO)薄膜,研究了射频磁控溅射制备ITO/LN薄膜的最佳工艺.采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)分析了透明导电ITO膜的制备工艺参数对薄膜表面形貌和晶体结构的影响,同时应用四探针电阻率测量和紫外可见光谱测量技术对所研制的ITO/LN膜的光电性质进行了研究.结果表明,衬底温度为320℃,溅射时间50 min时制备的ITO/LN薄膜具有最佳光电性质,在该条件制备出薄膜的电阻率为3.41×10-4Ω·cm,ITO/LN平均可见光透光率可达74.38％,平均透光率比LN衬底提高了1.1％.应用该溅射条件制备了泰伯效应位相阵列器,其近场衍射成像的相对光强可达0.67.
关键词:
ITO薄膜
,
铌酸锂
,
磁控溅射
,
光电性质
孙军
,
张玲
,
孔勇发
,
乔海军
,
刘士国
,
黄自恒
,
陈绍林
,
李剑韬
,
许京军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.002
我们生长了掺镁量分别为3.0mol%、5.0mol%、7.8mol%、9.0mol%的76mm高掺镁铌酸锂晶体,检测了这些晶体的生长条纹情况,并利用双光耦合配置测试了这些晶体在351nm紫外光下的光折变性能.从实验结果看,采用同成分共熔点铌锂配比的高掺镁铌酸锂晶体生长条纹比较多;虽然高掺镁铌酸锂晶体在可见光波段有很好的抗光折变能力,但是在紫外光下具有良好的光折变性能,可以作为优良的紫外光折变材料使用.同时,实验结果表明,掺镁量在5.0mol%的铌酸锂晶体具有最佳的紫外光折变性能.
关键词:
铌酸锂
,
掺镁
,
晶体生长
,
紫外
,
光折变
