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BiNbO4掺杂对BaTiO3基陶瓷的改性效应研究

杜旻 , 袁颖 , 张树人 , 杨林波 , 李言荣

功能材料

对三元系统BaTiO3(BT)-Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)-BiNbO4的微结构和介电性能进行了研究.1%(摩尔分数) BNT掺杂使BT的居里温度由127℃大幅提高到140℃.BiNbO4掺杂显著降低了高温端的电容温度变化率,相反低温端的电容温度变化率升高.掺杂3%~4%(摩尔分数)BiNbO4的BT陶瓷满足X8R特性.烧结温度过高时,居里峰明显被抑制,居里温度向低温移动,而低温介电峰向高温移动.SEM结果表明,1%(摩尔分数)BiNbO4掺杂时,陶瓷晶粒细小且尺寸均匀.BiNbO4含量增大,陶瓷内部出现异常生长的第二相晶粒,且第二相比例随BiNbO4含量增加而增大.XRD分析表明,基质晶粒为BaTiO3,第二相包括Ba2TiO4、NaBiTi2O6及BaTiNb4O13.

关键词: 钛酸钡 , 铌酸铋 , X8R , 多层陶瓷电容器

BiNbO4掺杂对BaTiO3陶瓷居里点的影响及微观性能研究

佘广益 , 张树人 , 唐斌 , 周晓华

材料开发与应用 doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2009.03.009

本文研究了BiNbO4掺杂对钛酸钡陶瓷居里点移动及微观性能的影响.实验结果表明,随着BiNbO4掺杂量的增加,钛酸钡陶瓷的四方率单调下降,而居里点先降低后升高,居里点的变化与陶瓷的微观应力变化一致.BiNbO4掺杂在0%~2%范围内时,能有效抑制BaTiO3陶瓷晶粒的生长,有助于陶瓷烧结的致密化,但过分掺杂会使陶瓷晶粒间气孔率增加,并产生第二相.

关键词: 钛酸钡 , 四方率 , 微观应力 , 居里温度 , 铌酸铋

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