向飞
,
常安碧
,
张永辉
,
闫二艳
,
安海诗
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.017
主要讨论了触发电场的脉宽和阴极几何参数对铁电二极管电子发射的影响,通过对不同脉宽激励下的电子发射试验发现触发脉冲的最佳工作宽度范围是150-250ns.对不同几何参数铁电阴极片在正脉冲激励下的电子发射研究指出:一般实验条件下(触发电压小于4 kV/mm),触发梯度电场相同时,阴极越厚,条栅电极越细密,发射电流密度越大;极化反转发射中前沿发射方式和后沿发射方式可以共时存在.
关键词:
铁电阴极
,
几何参数
,
条栅电极
,
极化反转
张琳丽
,
徐卓
,
冯玉军
,
盛兆玄
稀有金属材料与工程
研究了掺镧锆锡钛酸铅反铁电陶瓷在单脉冲方波电压激励下的极化反转特性.分析了1Hz正弦交变电压和上升前沿约为1ns单脉冲方波电压激励下样品的电滞特征以及不同脉冲宽度下样品的极化反转行为.讨论了样品的反铁电-铁电相变时间.结果表明:单方波脉冲电压激励下,样品的正向开关电场增加,反向开关电场减小:样品完全极化反转所需时间为394ns,使样品开始极化反转的最小脉冲宽度在50～100ns之间.
关键词:
反铁电体
,
极化反转
,
铁电阴极
蔡雪梅
,
周应华
,
吴贵能
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.02.004
采用锆钛酸铅(PZT)铁电阴极,在高真空4×10-3 Pa和低真空1.4 Pa条件下分别进行了电子发射实验.对收集电流波形进行积分,计算出收集电荷,低真空与高真空的电荷比值为0.193 3,说明低真空条件下发射出的电子损失较大.运用分子运动理论和等离子体放电理论对发射电子损失的原因进行了分析.通过分子运动理论计算了分子碰撞对到达收集极的电子数目的影响,得到的低真空与高真空的电子到达几率分别为89.58%和99.97%,二者的比值为0.896 1.该数值与通过实验收集电流波形计算出的到达电子比值相差很大.考虑低真空下等离子体的作用,发射电子除了与气体分子碰撞有部分损失外,还有通过等离子体和栅电极形成的对地放电损失.由等离子体放电理论计算出等离子体覆盖栅电极时间为23.8 ns,与低真空的收集电流振荡周期20 ns非常接近,是低真空下等离子体放电损失的有力证明.
关键词:
铁电阴极
,
分子运动论
,
等离子体放电
