余寒峰
,
曾华荣
,
初瑞清
,
李国荣
,
殷庆瑞
功能材料
用溶胶-凝胶的方法制得(111)取向的PZT铁电薄膜,并喷涂于Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上.用扫描力显微镜(SFM)的压电响应模式纳米级分辨率地观察到了几乎等间距或中间间距大于两侧的条状畴结构.这主要与晶粒和衬底间的应力应变有关.从这畴结构我们提出铁电畴形核和生长速率模型.其基本过程如下:(1)由于薄膜和底电极间周期性的结构和成分起伏,致使畴结构在此相连处形核.(2)铁电畴横向生长至相临畴相遇,纵向生长至薄膜上表面.(3)在随后的过程中,由于单个畴间的能量差异致使横向生长再次启动.这些过程是连续的,难以正确的区分.
关键词:
PZT薄膜
,
扫描力显微镜(SFM)
,
压电响应模式
,
铁电畴
,
形核和生长模型
周青春
,
徐荣青
,
李巧改
,
张秀荣
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.02.026
应用铁电体极化反转的Orihara-Ishibashi理论,讨论了圆形铁电薄膜和球形铁电体的开关电流以及开关时间对系统尺寸的依赖性.数值计算表明,不论是二维还是三维铁电系统,其铁电畴反转过程中产生的开关电流都随系统尺寸减少而下降,开关时间随系统尺寸减少而缩短.
关键词:
铁电体
,
铁电畴
,
开关特性
,
尺寸
牟其善
,
刘希玲
,
李可
,
官文栎
,
程传福
,
马长勤
,
王绪宁
,
路庆明
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.04.012
利用原子力显微镜,同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4晶体缺陷中的铁电畴和位错.首次用原子力显微镜给出了用两种腐蚀剂腐蚀过的KTA晶体表面的铁电畴和位错蚀坑的照片及定量信息,如发现铁电畴的明区要高于暗区,且两者的粗糙度明显不同.这为研究各种晶体的生长缺陷开辟了一条新的途径.
关键词:
KTiOAsO4晶体
,
原子力显微镜
,
同步辐射X射线形貌像
,
铁电畴
,
位错
姚琲
,
李春艳
,
张长亮
,
薛涛
,
桑梅
,
王慧
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.027
采用电脉冲极化方法制作出周期性反转电畴微结构.利用热腐蚀法制备出用于环境扫描电镜(ESEM)研究反转电畴结构的样品.通过ESEM的观察与分析,在光栅电极下方,铁电畴发生了极化反转,反转区域在y方向上有所扩展,在Z方向逐渐变窄,没能贯穿整个晶片.通过控制光栅电极的纵宽比和电压脉冲的参数,可以在晶片的表面或一定深度得到占空比为1:1的正、负铁电畴交替排列的结构,达到准相位配的目的.观测到竹叶状二次电子图像衬度,它是由制样过程中局部产生应力造成的,这说明利用ESEM可以研究压电材料中的电荷分布.
关键词:
铌酸锂
,
铁电畴
,
电场极化
,
反转
,
环境扫描电镜
万尤宝
,
张约品
,
朱宝钤
,
潘守夔
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.007
用电阻加热引上法生长了不开裂、全透明的具有倍频性能的铌酸钾锂(KLN)晶体.研究了影响晶体开裂的主要因素和晶体生长的稳定性.发现用引上法生长KLN晶体时,要得到全透明、不开裂的KLN晶体,熔体中Li2O的含量应该低于26.5mol%,拉速应低于0.5mm/h,以及生长过程中应该选择凸的固液界面以保证晶体生长的稳定性.在Li2O含量较高的熔体中生长KLN晶体时,[100]取向的籽晶比[001]取向的籽晶更有利于晶体生长.用由Li2O含量为26mol%的熔体中沿[100]取向生长的KLN晶体对Ti:Al2O3激光器输出的820nm的激光倍频,获得410nm的蓝光输出.
关键词:
铁电晶体
,
引上法晶体生长
,
倍频
,
铌酸钾锂晶体
,
铁电畴
,
非线性光学晶体
张飒
,
程璇
,
张颖
功能材料
铁电陶瓷材料,特别是锆钛酸铅(PZT)在众多领域具有广泛的应用前景,影响其推广应用的主要因素是使用过程中外电、力场引起的材料性能的退化.观测铁电电畴及畴变的方法对研究其在外场下性能破坏机理、提高其使用的可靠性和预防其失效具有重要的理论和实际意义.本文比较了不同实验方法和测试技术的优缺点,对铁电陶瓷的电畴观测进行了综述,并简要总结了铁电陶瓷的畴变观测技术研究现状,指出了目前该领域研究中存在的问题.
关键词:
铁电陶瓷
,
铁电畴
,
畴变
,
原位观测
袁清习
,
赵春华
,
殷晓峰
,
罗卫平
,
徐军
,
潘守夔
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.03.010
用提拉法生长了质量较好的铁电-铁弹β′-Gd2(MoO4)3晶体.研究了晶体中包裹物的形成原因及晶体转速、提拉速度、温度梯度等对包裹物的影响,分析了晶体开裂的类型及克服的方法.指出了用提拉法生长高质量β′-Gd2(MoO4)3晶体的合适工艺参数.用偏光显微镜对晶体中的畴结构进行了观察,发现样品中存在宽畴和细畴两种类型,结合同一样品减薄实验确定了晶体中的宽畴为铁电畴,细畴为铁弹畴.
关键词:
提拉法晶体生长
,
铁电-铁弹晶体
,
铁电畴
,
铁弹畴
李东林
,
王评初
,
罗豪甦
,
潘晓明
,
张申
,
殷之文
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.05.002
用偏光显微镜(PLM)和透射电镜(TEM)观察了67Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-33PbTiO3单晶的畴结构.在PLM下,光学质量不同的晶体具有不同的畴结构,透明晶体具有毫米尺度的大畴,透明性差的晶体的带状孪生畴宽约为0.1mm;在TEM下,雾状晶体中存在着复杂的微米尺度的孪生畴,而均匀晶体中存在着不规则的微米尺度的180°畴.原位EDS分析表明,在孪生晶体中存在Nb-Ti-Mg-Pb-O非晶相.透明晶体的介电和压电常数显著地高于雾状晶体.讨论了化学不均性对畴结构的影响.
关键词:
Pb(Mg1/3Nb2/3)O3
,
基铁电单晶
,
铁电畴
,
铁电相变
牟其善
,
刘希玲
,
马长勤
,
王绪宁
,
路庆明
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.04.002
研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷, 对于改善它的性能和应用前景, 有很大的意义. 本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO4晶体的缺陷, 实验结果表明, 两种腐蚀剂对于显示KTA晶体的表面缺陷效果显著, KTA晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物. 讨论了这些缺陷形成的原因.
关键词:
KTiOAsO4晶体
,
同步辐射X射线形貌术
,
缺陷
,
铁电畴
