颜涛
,
姚淑华
,
刘宏
,
王继扬
,
左致远
,
夏宗仁
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.05.021
以Y36°钽酸锂(LiTaO3,LT)晶片为研究对象,通过对同成分LT晶片(CLT)和深度还原黑色u'晶片(BLT)的比较研究,探讨了表面还原处理对钽酸锂晶片电学性能的影响.X射线衍射研究显示,还原处理对晶体结构没有明显影响.BLT的电导率比CLT明显高4个数量级,达到7.7×10-12 Ω-1·cm-1,其压电常数d33、居里温度和介电常数与CLT相差不大,介电损耗有所提高.研究结果表明,还原处理不改变晶体结构,但能提高晶片表面的电导率,从而改善和消除晶片在器件制备过程中因热释电效应引起的放电现象.
关键词:
钽酸锂
,
还原
,
电导率
,
压电性能
,
介电性能
孙德辉
,
刘宏
,
颜涛
,
王继扬
人工晶体学报
近化学计量比钽酸锂晶体的各种优越的物理性质已经吸引了众多研究者们的兴趣.常规提拉法生长的钽酸锂是一种非化学计量比的晶体,晶体中存在大量的本征缺陷,限制了其在高性能器件的应用.研究者们都在努力寻找一种能生长大尺寸高质量晶体的方法,并利用晶体的各种性质制造相应的功能器件.本文综述主要介绍了同成分钽酸锂晶体的缺陷结构和未掺杂和掺镁近化学计量比钽酸锂晶体的生长技术及成分测试方法.
关键词:
近化学计量比
,
钽酸锂
,
晶体生长
,
成分测试
,
缺陷结构
张德银
材料导报
自制了导电的TiN薄膜底电极,并在其上制备了铁电钽酸锂薄膜,测试了TiN薄膜电阻随热处理温度变化的关系,以及TiN底电极上钽酸锂薄膜的介电和漏电特性.实验结果表明,当热处理温度低于700℃时,TiN薄膜的电阻率小于0.004QΩ·cm,具有良好的导电性,可用作钽酸锂薄膜底电极;TiN底电极上钽酸锂薄膜的漏电电流大于Pt衬底上钽酸锂薄膜的漏电电流;N2气氛下在TiN底电极上结晶的钽酸锂薄膜的介电损耗远大于O2气氛下结晶的钽酸锂薄膜的介电损耗;氧缺位是TiN底电极上钽酸锂薄膜介电损耗大和漏电大的主要原因.
关键词:
底电极
,
氮化钛
,
钽酸锂
,
溶胶-凝胶法
包勇
,
张德银
材料科学与工程学报
为提升钽酸锂薄膜的性能,提出一种离子束增强沉积法制备钽酸锂薄膜的新工艺.分别采用这种新工艺和溶胶-凝胶法制备了钽酸锂薄膜,并利用阻抗分析仪和铁电材料分析仪对制备样品进行了介电性能、铁电特性、漏电电流和热释电特性分析.实验结果表明,采用离子束增强沉积制备的钽酸锂样品经550℃退火后,介电常数为39.44,介电损耗为0.045;测试电场强度为400kV/cm时,漏电流为4.76×10-8 A/cm2,击穿场强为680kV/cm,热释电系数达到1.82×10-4/m2K.相比之下,采用溶胶-凝胶方法制备的钽酸锂薄膜样品,其介电常数、介电损耗、漏电流都更大,击穿场强和热释电系数更低.从电性能参数比较可以看出,离子束增强沉积法比溶胶-凝胶法更适合用于制备钽酸锂薄膜.
关键词:
离子束增强沉积
,
钽酸锂
,
溶胶-凝胶
,
介电常数
,
铁电特性
,
热释电系数
窦飞飞
,
杨金凤
,
刘小伟
,
胡永钊
,
孙军
硅酸盐通报
本文介绍了准相位匹配技术的原理,对基于铌酸锂系列、钽酸锂系列以及磷酸钛氧钾型系列的周期极化晶体发展情况进行了综述,对中红外光参量振荡器用的周期极化晶体发展前景进行了展望.
关键词:
准相位匹配
,
周期极化
,
铌酸锂
,
钽酸锂
,
磷酸钛氧钾
王文炎
,
张超
,
张志甜
,
刘岩
,
冯冠平
,
敬刚
功能材料
用(yxl)-16.51°切型的钽酸锂(LiTaO3)加工制作两个电极在同一基板平面的横向场激励器件来验证该材料的横向场激励特性.理论上用扩展的Christoffel-Bechmann方法计算了LiTaO3材料的横向场激励机电耦合系数,其c模式值最大为37.9%.实验结果表明在空气中横向场激励在5.257MHz频率附近引起了一个明显的谐振主峰,谐振处阻抗为727ω;在液体中由于液体模拟电极的作用而形成了厚度场激励,使其在5.695MHz附近产生了另外一个谐振主峰.通过对声波相速度和谐振频率的计算也验证了实验结果.
关键词:
钽酸锂
,
横向场激励
,
机电耦合系数
,
相速度
庞立龙
,
王志光
,
姚存峰
,
崔明焕
,
孙建荣
,
申铁龙
,
魏孔芳
,
朱亚滨
,
盛彦斌
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.30.01.067
室温下,将能量为250 keV He+离子注入z切钽酸锂单晶,注量范围为5.0×1014～5.0×1016He+/cm2,应用三维轮廓仪、X射线衍射(XRD)、紫外可见(UV-Vis)光学吸收谱对未注入和注入样品进行了表征和分析.分析结果表明,在注量达到5.0×1016 He+/cm2时,样品表面出现大量凸起条纹,同时晶格沿着[001]方向出现明显肿胀,吸收边则表现出明显的注量相关性.注入样品在空气中放置60 d后,最高注量的样品表面原来凸起的条纹变为细长的裂纹,晶格应变及光学吸收边均出现较大的恢复.讨论了样品表面形貌、晶格应变和光学吸收边与He行为的关系.
关键词:
钽酸锂
,
He+注入
,
表面形貌
,
X射线衍射
,
光学吸收边
