张月
,
颜家振
,
黄婉霞
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刘小杰
,
涂铭旌
钢铁钒钛
采用溶胶凝胶法在云母衬底上制备出掺杂Mo的VO2薄膜,并采用XRD、AFM、XPS、FTIR等检测手段,对掺杂薄膜的物相组成、微观形貌、相变温度进行分析.结果表明:在云母片表面制备出的掺杂的VO2薄膜呈(011)晶面取向生长,并且每增加1%的Mo掺杂量,其相变温度下降7.82℃,掺杂后降低了样品的滞回温宽,而且薄膜相变前后红外透过率的变化量仍保持较高.
关键词:
二氧化钒
,
薄膜
,
钼掺杂
,
相变温度
朱慧群
,
陈飞
,
王启汶
,
杜尚昆
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李竻康
稀有金属材料与工程
采用共溅射氧化法,在普通玻璃衬底上室温直流溅射沉积钒钼金属薄膜,再在大气环境下经热氧化处理获得掺钼VO2薄膜.通过XRD、SEM、热致相变电学特性等分析,研究制备工艺及掺杂改性对掺钼VO2薄膜的微结构、形貌、热滞回线和相变温度的影响.实验与分析结果表明,与相同厚度的纯VO2薄膜相比,钼掺杂显著改变了VO2薄膜的表面形貌特征,掺钼VO2薄膜呈多晶态且沿VO2(002)择优取向生长,结晶性和取向性明显提高,薄膜的相变温度降低至38℃,热滞回线宽度收窄约至8℃.低温共溅射氧化法制备的掺钼VO2薄膜的热阻效应明显,薄膜的金属-半导体相变特性良好.
关键词:
VO2薄膜
,
共溅射
,
钼掺杂
,
相变
满文宽
,
李杨
,
鞠靓辰
,
张梅
,
郭敏
人工晶体学报
采用水热法,在不同水热生长时间条件下成功制备了钼掺杂三氧化钨纳米棒阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS能谱)以及X射线衍射(XRD)系统研究了生长时间对于制备得到的纳米棒阵列的微观形貌和组成的影响.结果表明:随着时间的延长,钼掺杂三氧化钨纳米棒阵列的平均尺寸、生长密度和取向性均有一定程度的提高.另外,探讨了不同时间对其电致变色性能的影响规律.当生长时间为6h时,所得钼掺杂的三氧化钨纳米棒阵列具有较大的光学调制(65.3％)以及较高的着色效率(87.3 cm2/C).
关键词:
水热合成
,
钼掺杂
,
三氧化钨纳米棒阵列
,
电致变色
张昊
,
史忠旗
,
胡梦杉
,
张朋
,
金海云
,
乔冠军
,
金志浩
稀有金属材料与工程
采用粉末冶金法制备了Mo掺杂的Al2O3基陶瓷/金属复合材料(Al2O3/Mo),利用X射线衍射、扫描电镜等测试分析方法研究了Mo掺杂对复合材料微观形貌及介电性能的影响.结果表明:Al2O3/Mo复合材料主要由Al2O3相和Mo相组成,未出现新相.Mo主要分散在Al2O3晶界,并且随着Mo掺杂量的增加,Al2O3晶粒尺寸逐渐减小、材料气孔率逐渐增加.当Mo掺杂量小于20％(质量分数)时,复合材料电阻率(＞1012Ω·cm)与相对介电常数(8～9)没有明显变化;而当Mo掺杂量大于20％,Mo由弥散相转变为连续相,复合材料的体电阻率急剧下降到1010Ω.cm;当Mo掺杂量达到40％时,由于复合材料中Mo已经形成连续的贯穿网络,体电阻率下降趋势减缓,稳定在10Ω·cm左右.因此,通过调控Al2O3基体中的Mo掺杂量及相分布,可以制备出具有不同电阻率的陶瓷/金属复合材料.
关键词:
陶瓷
,
钼掺杂
,
介电性能
