黄彦林
,
赵广军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.019
本试验测试了Er3+掺杂钨酸铅晶体(PbWO4:Er3+)的吸收光谱,依据J-O理论,首次计算报道了光谱项特征:J-O强度参数、量子荧光效率、荧光分支比等,Ω2=3.75×10-20cm2,Ω4=0.67×10-20cm2,Ω6=0.41×10-20cm2.计算证实,PWO:Er3+中几乎有80%的激发能量非辐射跃迁转移致4I13/2能级,4I13/2的计算寿命是5200μs,J-O计算显示,在PWO中产生4I13/2→4I15/2和发射1.53μm.有高的几率.讨论了不同浓度Er3+掺杂对于吸收系数和PbWO4晶体光学吸收边的影响,讨论了Er3+掺杂PbWO4晶体的光致发光和X射线激发发光光谱,PbWO4:Er3+晶体中存在着从PbWO4基质到Er3+离子的能量传递,发光光谱的分析表明,这种能量传递是共振能量传递.
关键词:
钨酸铅晶体
,
固体发光
,
Er离子掺杂
,
发光光谱
,
光学性能
孙桂芳
,
王雅丽
,
钱霞
,
侯碧辉
人工晶体学报
测量了室温下钨酸铅(PbWO4,PWO)晶体在0.1～3 THz的太赫兹时域光谱.分析表明:在0.2～0.9THz范围内,晶体的吸收系数小于30 cm-,有较好的透射性,在0.4 ～0.6 THz有一个较弱的泛频共振吸收峰;折射率在2～6之间变化,0.36 ～0.9 THz是一个明显的反常色散区域;根据光学常数之间的关系,计算得到介电函数曲线,介电函数实部值在4 ～38之间变化,在0.36 THz处有明显的突变尖峰;介电函数虚部随频率升高从0.7下降到0.3.
关键词:
太赫兹时域光谱
,
钨酸铅晶体
,
折射率
,
介电函数
刘志坤
,
熊巍
,
袁晖
,
谢建军
,
陈良
,
周尧
,
曾阳
,
施鹰
人工晶体学报
本文采用坩埚下降法生长出了PbWO4:(F,Er)晶体和PbWO4:(F,Nd)晶体,并且对此两种晶体透过性能和闪烁发光性能进行了测试分析.透过光谱结果显示,PbWO4:(F,Er)晶体和PbWO4∶(F,Nd)晶体在350 nm至700nm范围内的透过率比纯的钨酸铅均有较大的提高.紫外激发发射光谱测试结果表明,通过双掺杂可以提高钨酸铅晶体闪烁发光的强度,并且PbWO4:(F,Er)双掺杂晶体在波长为527 nm处和546 nm处均形成了较强的发光峰.通过对掺杂晶体进行XRD分析可知,阴阳离子的同时掺入并未引起钨酸铅晶体结构的明显改变.
关键词:
钨酸铅晶体
,
掺杂改性
,
发光性能
,
透过率
叶崇志
,
杨培志
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.028
钨酸铅(PbWO4)晶体由于具有高密度、短辐照长度、高的辐照硬度和快发光等特点而成为目前最具发展潜力的闪烁晶体之一,但其光产额低的缺点限制了它在高能领域以外的应用.因此,提高钨酸铅晶体的光产额以使其在PET装置等低能领域获得应用已成为近年来钨酸铅晶体的研究热点.本文综述了高光产额钨酸铅晶体的研究现状,指出了目前存在的问题.结合理论分析,提出采用坩埚下降法晶体生长技术,离子掺杂和退火等措施是进一步提高钨酸铅晶体光产额的主要途径.
关键词:
钨酸铅晶体
,
高光产额
,
离子掺杂
,
退火
,
闪烁晶体
向卫东
,
邵明国
,
顾国瑞
,
王昕
,
钟家松
,
梁晓娟
人工晶体学报
为探究不同气氛退火处理对钨酸铅晶体光学性能的影响,对坩埚下降法生长的钨酸铅晶体分别在氧化气氛(O2)、惰性气氛(N2)、还原气氛(CO)下进行退火处理,测试了退火前后的透射光谱、吸收光谱、荧光光谱、光产额和衰减时间等光学性能参数.结果表明,N2气氛退火后钨酸铅晶体350 nm处的本征吸收略有降低而O2和CO气氛退火后略有增强,富O2气氛下退火的钨酸铅(PWO)晶体在420 nm处产生较强吸收峰.O2、N2气氛退火的钨酸铅晶体荧光光谱出现红移,CO气氛退火的钨酸铅晶体荧光强度得到明显改善,O2、N2、CO不同气氛退火的PWO晶体在1000 ns积分时间内的光产额分别为:10 p.e/MeV、25 p.e/MeV、38 p.e/MeV,衰减时间分别约为5.2 ns、4.5ns、4.4 ns.
关键词:
钨酸铅晶体
,
坩埚下降法
,
退火
,
光学性能
杨培志
,
廖晶莹
,
沈炳孚
,
邵培发
,
倪海红
,
方全兴
,
殷之文
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.02.003
用改进的垂直坩埚下降法成功地生长了高质量的钨酸铅晶体,晶体毛坯的尺寸为28mm×28mm×360mm,晶体的生长工艺参数为:籽晶取向[001],下降速度0.6～1.0mm/h,生长界面附近的温度梯度为20～30℃/cm,加工后的晶体成品在420nm附近的透过率＞60%;在360nm附近的透过率＞25%.晶体的光输出＞9p.e/MeV,光伤＜5%.
关键词:
钨酸铅晶体
,
坩埚下降法
,
杂质分析
,
闪烁性能
张昕
,
廖晶莹
,
沈炳孚
,
邵培发
,
李长泉
,
殷之文
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.01.009
与其它三价稀土离子(La3+、Lu3+等)掺杂相比较,Y3+的掺杂表现出特殊的低剂量辐照行为:光产额辐照后升高,同时伴随着晶体在380nm～500nm波段透过率的变化,并且辐照硬度对退火温度较敏感.以往认为光输出升高的幅度是晶体顶端大于晶体晶种端,因此推测该现象与晶体中有效分凝系数小于1的Na+、K+和Si4+等杂质有关.本文对全尺寸晶体的顶端、中段和晶种端的分段晶体测试了退火温度对晶体透过率和辐照硬度的影响,结果发现:辐照后光产额升高的现象同时存在于晶体的晶种端和晶体顶端;在一定条件下辐照后光产额升高的幅度是晶体晶种端大于晶体顶端,结合我们铅空位补偿型掺杂剂的实验结果,初步推断这可能是由于Ca2+离子含量较高而引起Y3+离子电荷补偿方式的改变.
关键词:
钨酸铅晶体
,
掺杂
,
辐照硬度
