裴彦鹏
,
丁云杰
,
臧娟
,
宋宪根
,
董文达
,
朱何俊
,
王涛
,
陈维苗
催化学报
doi:10.1016/S1872-2067(12)60615-9
采用CO与金属Co在473 K反应400 h以上合成了Co2C样品,采用X射线衍射、透射电镜和CO程序升温还原对样品进行了表征,并采用CO程序升温脱附和CO程序升温表面反应研究了Co2C对CO的吸附及其加氢活化行为.结果表明,Co2C微观结构由体相和表面钝化层两部分组成.表面钝化层可被CO于477 K左右去除.CO在Co2C上有2个脱附峰,其中低温脱附峰可能源于Co2C上吸附的CO,而高温脱附峰可能对应于残留于Co2C晶格内的CO.Co2C上吸附的CO可与H2反应生成醇.
关键词:
碳化钴
,
钝化层
,
一氧化碳吸附
,
加氢
,
醇
丁飞
,
张翠芬
,
胡信国
稀有金属材料与工程
利用1,4-二氧六环对锂金属电极表面进行预处理,使之钝化,以提高电极的界面稳定性和充放电循环性能.结果表明:1,4-二氧六环可以在锂金属表面发生聚合,预先形成性能良好的SEI(Solid Electrolyte Interface)钝化膜,提高电解液中锂金属电极的界面稳定性,同时表面预处理并不会降低锂电极的动力学性能.锂电极的充放电循环效率测试和锂金属电池的循环性能测试表明:经过1,4-二氧六环表面预处理的锂金属电极与未经预处理的锂金属电极相比,无论是电极的充放电效率,还是由其所组成电池的放电性能与循环寿命都得到了较大提高.
关键词:
锂电池
,
表面预处理
,
钝化层
,
1,4-二氧六环
周伟峰
,
薛建设
,
明星
,
刘翔
,
郭建
,
谢振宇
,
赵承潭
,
陈旭
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112601.0019
将具有低介电常数的丙烯酸酯树脂作为薄膜晶体管液晶显示器的钝化层整合到阵列基板中.与传统的SiN<,x>薄膜(ε≈7)相比,丙烯酸酯树脂钝化层具有平坦的表面,其低介电常数(ε≈4.5)可以降低器件的RC延迟,这都将有利于提高薄膜晶体管液晶显示器的开口率,从而提高显示器的亮度,降低能耗和制作成本.
关键词:
薄膜晶体管液晶显示器
,
低介电常数
,
丙烯酸酯树脂
,
钝化层
高娇娇
,
刘玉岭
,
王辰伟
,
王胜利
,
崔晋
稀有金属
doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2016.08.008
为了确保整个晶圆片上残余铜的去除,精抛后的过抛步骤至关重要,然而在铜过抛过程中会产生铜碟形坑和介质蚀坑等问题,去除残余铜的同时控制铜碟形坑和介质蚀坑是铜化学机械平坦化(CMP)研究的最重要的课题之一.为了解决这一问题,提出了一种铜过抛化学机械平坦化过程中基于氧化反应的平坦化效率计算方法.实验显示该方法计算结果与实验数据一致.采用碱性铜精抛液对铜光片进行抛光,获得的数据显示,增加过氧化氢浓度可以获得较低的铜去除率以及几乎为零的阻挡层去除速率.布线片CMP的结果表明,增加过氧化氢浓度可以获得较小的碟形坑.对含有不同浓度过氧化氢的抛光液进行电化学实验研究,研究结果表明在铜表面有钝化层形成.综上所述,该计算方法是计算过抛过程平坦化效率的适当方法.
关键词:
平坦化效率
,
碱性铜精抛液
,
过抛
,
过氧化氢
,
碟形坑
,
钝化层
刘琰
,
程坚平
,
陆军
冶金分析
doi:10.3969/j.issn.1000-7571.2004.z1.025
研究了用ICP-AES法测定镀锌板中钝化层质量的方法,采用内标,消除了基体干扰,建立了最佳工作条件,测定了方法的检出限、测定下限.进行了干扰试验、回收率试验等试验,本方法快速、准确,结果令人满意.
关键词:
ICP-AES
,
钝化层
,
铬
董杰
,
金相起
,
朴范求
,
金浩熙
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.06.009
为了提高薄膜晶体管液晶显示器的开口率,研究了在优化的钝化层沉积条件下的过孔尺寸.结果表明,随着钝化层沉积温度的升高,钝化层的刻蚀率在下降,过孔的尺寸变小.当钝化层沉积温度在360℃时,过孔尺寸为8.20 μm.
关键词:
钝化层
,
沉积温度
,
过孔尺寸
李田生
,
谢振宇
,
张文余
,
阎长江
,
徐少颖
,
陈旭
,
闵泰烨
,
苏顺康
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122704.0493
为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,研究了通过改变钝化层(PVX)的沉积工艺来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔 (VIA)尺寸的方案,通过设计实验考察了影响过孔大小的钝化层的主要影响因素(黑点、倒角、顶层钝化层沉积厚度,顶层钝化层沉积压力),得出了在不改变原有刻蚀方式基础之上使过孔的尺寸降低20％～30％的优化方案,并对其进行了电学性能评价(Ion:开态电流、Ioff:关态电流、Vth:阈值电压、Mobility:迁移率),从而获得了较佳的减小过孔尺寸的方案,提高了产品品质.
关键词:
钝化层
,
刻蚀
,
过孔
李田生
,
陈旭
,
谢振宇
,
徐少颖
,
闵泰烨
,
张学智
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142905.0674
为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,之前做过钝化层沉积工艺优化来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔尺寸的研究.本文在此基础上进行过孔刻蚀工艺的优化,从而最终达到进一步减小过孔尺寸实现TFT-LCD小型化与窄边框化的趋势.通过设计实验考察了影响过孔大小刻蚀主要影响因素(功率、压强、气体比率、刻蚀速率选择比).实验结果表明,在薄膜沉积优化的基础上可使过孔的尺寸再降低10％～20％.对其进行了良率检测与工艺稳定性评价,最终获得了过孔尺寸减小的方案,并成功导入到产品生产中,从而提高了产品品质.
关键词:
钝化层
,
刻蚀
,
过孔
