欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(3)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

钛酸铜钙/钛酸钙复合陶瓷的制备和介电性能

陈克丕 , 李翠伟

稀有金属材料与工程

以CaCO_3、TiO_2、CuO为原料,采用两种工艺途径制备了(1-x)CCTO-xCTO(0≤x≤1)复合陶瓷材料.采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、阻抗分析仪对(1-x)CCTO-xCTO复相陶瓷的相组成、显微结构特征和介电性能进行了研究,发现不同工艺途径制备的(1-x)CCTO-xCTO复合陶瓷的显微结构略有差异,但介电性能基本相同,表明两种工艺途径制备的陶瓷中CCTO和CTO具有相似的连接情况.此外,还发现2/8CCTO-6/8CTO复合陶瓷在室温和1 kHz频率时,材料的介电常数ε接近1500,且介电损耗tgδ小于0.08.

关键词: 钛酸铜钙 , 钛酸钙 , 复合陶瓷 , 介电性能

溶胶-凝胶法制备NiO掺杂CaCu3Ti4O12薄膜

徐东 , 宋琪 , 张柯 , 徐红星 , 杨永涛 , 于仁红

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2013.13113

用溶胶-凝胶法制备纯CaCu3Ti4O12(CCTO)薄膜以及NiO掺杂CaCu3-xNixTi4O12(CCNTO)薄膜(x=0.10、0.20、0.30),研究了掺杂NiO对CCTO介电性能以及微观结构的影响.通过AFM图片可以看出,掺杂NiO的CCTO薄膜的晶粒尺寸比不掺杂NiO的CCTO薄膜的晶粒尺寸小.当x=0.2时,CCNTO薄膜的漏电流最小,最小值为0.546 mA,同时具有最大阈值电压与最大非线性系数,最大值分别为81 V/mm和1.9.当Ni掺杂量达到一定程度时,CCNTO薄膜的介电常数就会增加,总体来说,随着Ni的掺杂量增加,CCNTO薄膜的介电损耗呈上升趋势.

关键词: 钛酸铜钙 , 溶胶-凝胶法 , 电性能 , 显微组织

金属有机分解法制备钛酸铜钙薄膜

杨玉国 , 王卓 , 杨长红

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.035

采用金属有机分解法(MOD)在p-Si(111)衬底上制备了钛酸铜钙(CaCu3Ti4O12)薄膜.对前驱体溶液粉体退火后做了红外和X射线分析;对薄膜退火后做了X射线和原子力显微镜分析.结果表明,在空气中750℃退火1h后,钛酸铜钙结晶良好;钛酸铜钙薄膜的生长为二维生长模式.

关键词: 金属有机分解法 , 钛酸铜钙 , 薄膜

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词