王文武
,
姜宁
,
谢二庆
,
贺德衍
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2003.04.010
为了获得高品质的欧姆接触和线路连接材料,利用离子注入方法在n型单晶Si(111)基底上制备了钇硅化物,并对其在高真空下红外光辐照处理过程中的结构相变进行了研究.X射线衍射测量表明,在Y离子注入过程中已形成了部分六方相YSi2,800℃下红外光辐照处理30 min后YSi2呈现出择优结晶取向.从辐照过程中原位测量样品的方块电阻变化发现,当温度升至160℃时,Y与Si反应首先形成了斜方相YSi.YSi/YSi2的相转变出现在240℃,随温度的进一步升高,Y原子完全与Si原子发生反应,形成了结晶取向良好的六方相YSi2.
关键词:
钇硅化物
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离子注入
,
固相反应
,
原位方块电阻测量
