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金属氧化物半导体薄膜气敏机理研究进展

李建昌 , 韩小波 , 姜永辉 , 巴德纯

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.015

气体传感器的核心介质为气敏薄膜,而薄膜本身的特性有关键的影响,主要体现在薄膜微观结构如晶粒尺寸、膜厚、空隙率和有效表面积等方面.溶胶-凝胶法由于有方法简单及成膜温度低等优点,得到了广泛研究与应用.本文综述了溶胶-凝胶法制备的金属氧化物薄膜微纳结构与气敏机理进来的研究进展,结果表明最佳的晶粒尺寸约为10nm,最佳膜厚约为110 nm.在晶粒尺寸控制方面,通过控制煅烧温度与时间及在溶胶-凝胶过程中加入不同的添加剂,可有效优化晶粒尺寸提高灵敏度.最后,从能带结构角度总结了气敏传感器的电学特性及荷电传输机理,讨论了热电子发射理论和电子隧穿理论起主导作用时的薄膜微纳结构.

关键词: 金属氧化物薄膜 , 半导体薄膜 , 气体传感器 , 溶胶-凝胶法

原子层淀积制备金属氧化物薄膜研究进展

卢红亮 , 徐敏 , 张剑云 , 陈玮 , 任杰 , 张卫 , 王季陶

功能材料

原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长的薄膜具有很好的均匀性和保形性,因而在微电子和光电子等领域有广泛的应用前景.本文综述了ALD技术的基本原理,及其在金属氧化物薄膜制备上的研究进展.

关键词: 原子层淀积(ALD) , 金属氧化物薄膜 , 高k材料

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