陈洪建
,
张维连
,
陈贵峰
,
李养贤
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.020
目前异质外延技术能够得到较高质量的氮化镓(GaN)薄膜,衬底普遍采用蓝宝石、碳化硅以及硅等.各种技术包括缓冲层、外延横向生长技术、悬挂外延技术等是目前最重要的制备氮化镓技术.氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓衬底最有希望的方法之一.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了氮化镓体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延原理,分析了HVPE制备自支撑(FS)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展.
关键词:
氮化镓(GaN)
,
氢化物汽相外延(HVPE)
,
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
,
自支撑氮化镓(FS GaN)
张亚琳
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黄靖云
,
吴科伟
,
卢洋藩
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叶志镇
材料科学与工程学报
本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在MgO(100)衬底上成功生长了非极性的m面(1010) ZnMgO薄膜.研究了衬底温度对ZnMgO薄膜生长取向的影响.X射线衍射(XRD)分析结果表明当衬底温度为400℃时可以获得单一取向的m面ZnMgO薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)观察到ZnMgO薄膜表面平整,由条纹状结构组成.透射电子显微镜(TEM)分析进一步证明ZnMgO为具有m面取向的单晶薄膜.X射线光电子能谱(XPS)定量分析表明ZnMgO薄膜中Mg含量为3at.％.
关键词:
ZnMgO
,
m面
,
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
彭冬生
,
赵立峰
,
刘世良
,
谢长生
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2003.01.015
研究了以羰基镍为沉积源,利用MOCVD技术沉积镍薄膜;讨论了沉积温度及压力对沉积速率的影响,以及利用SEM、XRD、DSC等分析手段来探讨沉积温度及不同沉积基体对薄膜微观形态的影响.结果表明,沉积温度约为150℃可以得到较快的沉积速率,而且薄膜连续具有金属光泽;以铜为沉积基体所得到的薄膜其微观形态中有明显的晶粒,以玻璃为基体得到的薄膜却含有部分非晶态的组织;沉积速率随着反应室工作压力的增加而下降.
关键词:
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
,
羰基镍
,
薄膜
