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检索条件：关键词=金属有机化学气相沉积(MOCVD)
陈洪建 , 张维连 , 陈贵峰 , 李养贤
稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.020
目前异质外延技术能够得到较高质量的氮化镓(GaN)薄膜,衬底普遍采用蓝宝石、碳化硅以及硅等.各种技术包括缓冲层、外延横向生长技术、悬挂外延技术等是目前最重要的制备氮化镓技术.氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓衬底最有希望的方法之一.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了氮化镓体单...
关键词: 氮化镓(GaN) , 氢化物汽相外延(HVPE) , 金属有机化学气相沉积(MOCVD) , 自支撑氮化镓(FS GaN)
张亚琳 , 黄靖云 , 吴科伟 , 卢洋藩 , 叶志镇
材料科学与工程学报
本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在MgO(100)衬底上成功生长了非极性的m面(1010) ZnMgO薄膜.研究了衬底温度对ZnMgO薄膜生长取向的影响.X射线衍射(XRD)分析结果表明当衬底温度为400℃时可以获得单一取向的m面ZnMgO薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)观察到ZnMg...
关键词: ZnMgO , m面 , 金属有机化学气相沉积(MOCVD)
彭冬生 , 赵立峰 , 刘世良 , 谢长生
材料热处理学报 doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2003.01.015
研究了以羰基镍为沉积源,利用MOCVD技术沉积镍薄膜;讨论了沉积温度及压力对沉积速率的影响,以及利用SEM、XRD、DSC等分析手段来探讨沉积温度及不同沉积基体对薄膜微观形态的影响.结果表明,沉积温度约为150℃可以得到较快的沉积速率,而且薄膜连续具有金属光泽;以铜为沉积基体所得到的薄膜其微观形态中...
关键词: 金属有机化学气相沉积(MOCVD) , 羰基镍 , 薄膜
