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利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si(100)上合成局域异质外延金刚石膜

廖克俊 , 王万录

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.02.007

本文利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si(100)上获得了局域异质外延金刚石膜.由Raman背散射强度(在1332cm-1处)旋转角依赖关系表明,金刚石膜与Si(100)的定向关系为dia(100)∥Si(100)和dia[110]∥Si[110].在金刚石膜的成核阶段,位于衬底和灯丝之间的电极相对于灯丝施加一负偏压,获得的金刚石膜用扫描电镜和Raman谱表征.对实验结果进行了简要的讨论.

关键词: 异质外延金刚石膜 , 热灯丝CVD , 发射电子 , 金刚石成核