吕蓬
,
郭亨群
,
申继伟
,
王启明
功能材料
采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(nc-Si/SiNx)复合薄膜.通过X射线能谱(EDS)、红外光谱(IR)、X射线衍射(XRD)及紫外-可见吸收光谱(UV-vis)的测定,对薄膜进行了组分、键合状态、结构及光学带隙的表征.采用皮秒激光运用单光束Z扫描技术开展了对该复合薄膜的非线性光学性质的研究,测得其三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为10-8esu和10-8m/W量级,并将薄膜这种三阶光学非线性增强的原因归因于量子限域效应.
关键词:
nc-Si/SiNx薄膜
,
射频磁控反应溅射
,
光学非线性
,
量子限域效应
,
Z扫描
王庆玲
,
朱帅
,
屠瑶
,
金一政
,
叶志镇
材料科学与工程学报
本实验采用溶液法合成球状及棒状ZnO纳米晶.X射线衍射分析(XRD)显示合成的纳米晶为六方纤锌矿结构ZnO.紫外可见光(UV-vis)光谱和透射电镜(TEM)图表明通过改变反应时间可以控制ZnO纳米棒的长度.随着反应时间从90min延长到360min,纳米棒的长度可以从25nm长大到60nm.同时,纳米晶的室温光致发光谱(PL)具有强烈的近带边发射,在LED和LD等光电器件上有一定的应用前景.
关键词:
ZnO
,
纳米晶
,
溶液法
,
量子限域效应
梁红伟
,
吕有明
,
申德振
,
颜建锋
,
刘益春
,
李炳辉
,
赵东旭
,
张吉英
,
范希武
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.06.008
利用等离子体辅助分子束外延设备(P-MBE)在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长ZnO薄膜,研究了不同生长温度对结晶质量的影响.随着生长温度的升高,X射线摇摆曲线(XRC)半高宽从0.88°变窄至 0.29°,从原子力显微镜(AFM)图像中发现薄膜中晶粒从20nm左右增大至200nm,室温光致发光(PL)谱中显示了一个近带边的紫外光发射(UVE)和一个与深中心有关的可见光发射.随着生长温度升高,可见光发射逐渐变弱,薄膜的室温载流子浓度由1.06×1019/cm3减少到7.66×1016/cm3,表明在高温下生长的薄膜中锌氧化学计量比趋于平衡,高质量的ZnO薄膜被获得.通过测量变温光谱,证实所有样品在室温下PL谱中紫外发光都来自于自由激子发射;随着生长温度的变化UVE峰位蓝移与晶粒尺寸不同引起的量子限域效应相关.
关键词:
ZnO薄膜
,
等离子体增强分子束外延
,
光致发光
,
量子限域效应
,
X射线摇摆曲线
艾飞
,
刘岩
,
周燕飞
,
潘志雷
材料导报
基于量子限域效应,一维Si纳米材料(硅纳米线等)具有体材料硅所不具备的特异的光学、电学、机械和化学性质,在纳光电子学领域具有潜在的应用价值.通过掺杂或与其它材料的复合,硅纳米线可以用于制作纳电子器件的关键组件,既能作为功能单元也能用于器件互连.综述了硅纳米线(硅纳米管)的制备方法、生长机制、性质及应用和近年来的研究新进展.
关键词:
硅纳米线
,
光致发光
,
量子限域效应
杨秀健
,
施朝淑
,
许小亮
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.01.001
纳米ZnO的许多优异性能使其成为人们研究的热点并得到广泛的应用.随着ZnO颗粒尺度的不断减小,其量子限域效应越来越明显,观察到电荷载流子,声子,光子的局域化效应;表面、界面态对其性质影响逐渐明显,通过表面修饰和置入多孔及束管等束缚结构,可有效增强ZnO紫外(一个量级)或可见光区(1～2个量级)的发射强度;并使ZnO的电导率,磁化率有很大提高.纳米ZnO与其他材料的复合体系能得到一些新的功能材料.纳米ZnO的自组织行为,使人们可以获得许多形态各异,特殊用途的纳米材料及器件.本文综述了近年来纳米ZnO的研究新动态.
关键词:
纳米ZnO
,
量子限域效应
,
自组织生长
