唐元洪
,
李晓川
人工晶体学报
硅纳米线是一种具有优异的物理、化学及力学性能的半导体材料,其独特的光致发光性能使硅纳米线有望在低维纳米材料发展的基础上实现硅基纳米结构的光集成电路.文中重点介绍了硅纳米线光致发光特性的研究现状及其发光机制的理论研究,最后对硅纳米线的应用前景加以展望.
关键词:
硅纳米线
,
光致发光
,
量子限制效应
,
发光机制
潘洪哲
,
徐明
材料导报
10多年来,人们对纳米硅的制备方法、微结构特征以及发光机制等方面进行了深入的研究和探讨.重点对不同制备条件及后期处理条件下的纳米硅的发光机制做了评述和总结,并对目前研究状况中存在的问题及发展前景进行了分析.
关键词:
多孔硅
,
纳米硅
,
发光机制
,
量子限制效应
张春华
,
郭亨群
,
王国立
,
申继伟
,
徐骏
,
陈坤基
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.002
采用射频磁控反应溅射技术制备不同Si层厚度的a-Si/a-SiNx超晶格材料.利用红外光谱(IR)、能谱(EDS)、X射线衍射谱(XRD)、吸收谱和光致发光(PL)谱对超晶格材料的成分、结构和发光特性进行研究.结果表明,样品的光学吸收边和PL峰随着Si层的厚度的变化而发生明显偏移,观察到了明显的量子限制效应.在氮气保护下以1000℃对样品进行热退火处理,发现Si层厚的样品退火后发光峰相对于退火前发生了蓝移,这归因于样品中nc-Si颗粒的形成.
关键词:
a-Si/a-SiNx超晶格
,
光致发光
,
量子限制效应
,
射频磁控反应溅射
王颖
,
申德振
,
张吉英
,
刘益春
,
张振中
,
吕有明
,
范希武
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.02.004
采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了系列富硅量不同的富硅氮化硅薄膜,且所有样品分别经过不同温度的退火.通过X射线光电子能谱(XPS)的测试证实了薄膜中硅团簇的存在.对不同富硅量的氮化硅薄膜做了红外和光致发光的比较研究.由不同富硅量薄膜中硅团簇的尺寸变化对发光峰的影响,得出了发光来源于包埋于氮化硅薄膜中由于量子限制效应而使带隙增大了的硅团簇.
关键词:
氮化硅薄膜
,
光致发光
,
Si团簇
,
量子限制效应
周原
,
王茺
,
韦冬
,
卢赛
,
杨宇
人工晶体学报
在室温和注入能量为60 keV的条件下,在硅晶片中注入C+,使其剂量达到5.0×1016 cm2,随后即对样品进行高温退火处理.采用X射线衍射(XRD),拉曼和光致发光(PL)光谱技术对样品进行了表征.实验结果显示:C+注入后经高温退火的样品的XRD图谱中,在40°附近处出现了衍射峰,表明经退火后样品中形成了纳米尺寸的SiC团簇,并观察到了强烈的蓝光发射.PL光谱中的蓝光峰起源于量子限制效应.
关键词:
离子注入
,
SiC发光
,
量子限制效应
杨丽娇
,
王金良
,
杨成涛
,
梅丽润
材料导报
系统地介绍了导致硅纳米线(SiNWs)光致发光(PL)的主要原理,如量子限制效应、量子尺寸效应、硅纳米颗粒发光机理和杂质缺陷发光机理.同时从SiNWs的直径、测试温度、SiNWs外部包覆层、SiNWs的形态等几个方面出发,详细地归纳总结了近十多年来国内外对SiNWs的PL原理的研究成果及进展.
关键词:
硅纳米线
,
光致发光
,
量子限制效应
姜礼华
,
曾祥斌
,
张笑
,
曾瑜
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00802
通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)法,以氨气和硅烷为反应气体,P型单晶硅和石英为衬底,低温下(200℃)制备了含硅纳米粒子的非化学计量比氮化硅(SiNx)薄膜.经高温(范围500～950℃)退火处理优化了薄膜结构.室温下测试了不同温度退火后含硅纳米粒子SiM薄膜的拉曼(Raman)光谱、光致发光(PL)光谱及傅立叶变换红外吸收(FTIR)光谱,对薄膜材料的结构特性、发光特性及其键合特性进行了分析.Raman光谱表明.SiNx薄膜内的硅纳米粒子为非晶结构.PL光谱显示两条与硅纳米粒子相关的光谱带,随退火温度的升高此两光谱带峰位移动方向相同.当退火温度低于800℃时,PL光谱峰位随退火温度的升高而蓝移.当退火温度高于800℃时,PL光谱峰位随退火温度的升高而红移.通过SiNx薄膜的三种光谱分析发现薄膜的光致发光源于硅纳米粒子的量子限制效应.这些结果对硅纳米粒子制备工艺优化和硅纳米粒子光电器件的应用有重要意义.
关键词:
硅纳米粒子
,
SiNx薄膜
,
量子限制效应
