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量子阱结构对GaN基紫光二极管性能的影响

陆敏 , 杨志坚 , 潘尧波 , 陆羽 , 陈志忠 , 张国义

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.009

采用不同MQW结构在MOCVD系统上生长UV-LED外延片.对样品进行了X射线衍射、电注入发光(EL)和光致发光谱(PL)测试,通过优化LED器件材料的生长条件,获得了光发光特性一般而电发光特性优良的高质量多量子阱紫光LED外延片.

关键词: 紫光二极管 , MOCVD , GaN , 量子阱结构

用于1.44 μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计

劳燕锋 , 吴惠桢

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.017

采用有效质量模型下的4×4 Luttinger-Kohn哈密顿量矩阵对GaxIn1-xAs/In0.80Ga0.20As0.44P0.56/InP量子阱结构进行了能带计算,求得了该量子阱结构跃迁能量随组份及阱宽的变化关系,从而得到了激射波长1.44 μm时的Ga组份x与阱宽Lw(在5～10 nm内取值)的相互关系: x=0.32013+0.06093Lw-0.00534 Lw2 + 0.00017483 Lw3,当阱宽为5～10 nm,因而Ga组份为0.51～0.57时,阱材料中产生的张应变量为: 0.29%～0.70%.最后,我们计算了该量子阱结构的能量色散关系和光增益谱,从而对x与Lw组合值进行优化.

关键词: 半导体激光器 , 量子阱结构 , 应变 , 光增益谱

GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计

刘盛 , 张永刚

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.010

采用一维方势阱模型对Gash/InxGa1-xAs0.02Sb0.98m量子阱激光器结构的子带跃迁波长与阱宽间的关系进行了计算,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度.结果表明GaSb/InGaAsSb是制作2～3μm中红外波段量子阱激光器的良好材料体系.在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分及阱宽并对应变总量进行控制是十分重要的.

关键词: 量子阱结构 , 半导体激光器 , 带间跃迁

1.3μmInAsP/InGaAsP应变补偿量子阱激光器

张永刚 , 陈建新 , 陈意桥 , 齐鸣 , 李爱珍

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.039

采用气态源分子束外延方法及应变补偿生长工艺生长了InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱激光器材料,采用选择刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作成了脊波导型1.3μm激光器芯片并对芯片性能进行了统计测量,测量结果表明此种激光器芯片在室温下的阈值电流可小于10mA,在25oC至90oC温度范围内特征温度大于90K,并表现出较好的单纵模特性.

关键词: 量子阱结构 , 半导体激光器 , 化合物半导体

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