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用离子注入的方法实现InGaAs/InGaAsP激光器材料的量子阱混合

刘超 , 李国辉 , 韩德俊

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.025

为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合,选用1～2MeV、1×1013～5×1013cm-2的P+离子注入到InGaAs/InGaAsP分别限制多量子阱(SCH-MQW)激光器结构,在700oC下快速热退火90s.发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9～89nm.蓝移的大小随着注入能量和剂量的增大而增大,并且能量比剂量对蓝移的影响更大.

关键词: 量子阱混合 , 波长蓝移 , InGaAs/InGaAsP , 光致发光谱

InGaAsP量子阱混合技术理论及模拟研究

岳优兰

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.03.019

本文以晶格中原子的扩散理论为基础,分析了四元系InGaAsP半导体材料中Ⅲ、Ⅴ族原子的扩散规律,建立了量子阱和超晶格结构中量子阱混合(QWI)的理论模型,模拟计算了半导体材料中组分浓度与扩散长度的关系,以及应变与扩散长度的关系,计算分析了应变对量子阱带隙、带结构和量子跃迁的影响,获得了一些有价值的结论,为量子阱混合试验和量子阱及超晶格集成器件的开发和研究提供了重要的理论基础.

关键词: 半导体 , 量子阱与超晶格 , 量子阱混合 , 理论及数值计算

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