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直拉重掺硼硅单晶的研究进展

李春龙 , 沈益军 , 杨德仁 , 马向阳 , 余学功 , 阙端麟

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.03.011

系统介绍了直拉重掺硼(B)硅单晶研究的最新进展.主要内容包括重掺B硅单晶的基本性质,利用重掺B籽晶进行无缩颈硅单晶生长技术,重掺B硅单晶的机械性能,重掺B硅单晶中的氧和氧沉淀,以及B的大量掺杂与大直径直拉硅单晶中空洞型(Void)原生缺陷的控制关系.在此基础上,探讨了当前直拉重掺B硅单晶生产和研究中存在的主要问题.

关键词: 直拉硅 , 重掺硼 , 氧 , 缩颈

重掺硼直拉硅片中流动图形缺陷的显示

方敏 , 杨德仁 , 马向阳 , 阙端麟

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.02.011

本文针对重掺硼直拉单晶硅片中流动图形缺陷(FPDs)的显示进行了一系列实验,得到了一种能够腐蚀出重掺硼硅片中FPDs的Secco腐蚀液配方以及清晰显示出FPDs的最佳腐蚀时间.此外,本文就FPD的显示机理进行了探讨.

关键词: 直拉单晶硅 , 重掺硼 , FPD

重掺硼对直拉单晶硅片上压痕位错运动的影响

赵泽钢 , 赵剑 , 马向阳 , 杨德仁

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2016.03.001

对比研究了轻掺硼(1.5×1016 cm-3)和重掺硼(1.2×1020 cm-3)直拉硅片上维氏压痕周围的残余应力分布及压痕位错在900℃滑移的情况.研究表明:重掺硼直拉硅片上压痕周围的残余应力及应力场区域显著小于轻掺硼硅片的.在900℃热处理时,轻掺硼硅片上的压痕位错发生显著的滑移,而重掺硼硅片上的压痕位错几乎不发生滑移.一方面,重掺硼降低了单晶硅的压痕断裂韧性,使侧向裂纹尺寸增大而释放更多的应力,从而使压痕的残余应力变小;另一方面,重掺硼对位错具有明显的钉扎作用,使位错的滑移需要更大的应力驱动.可以认为正是上述两方面的效应使得重掺硼硅片的压痕位错几乎不发生滑移.

关键词: 单晶硅片 , 重掺硼 , 位错滑移

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