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中性水溶液中阴极电解制备自支撑通孔氧化铝膜

王清涛 , 王文娟 , 龙云泽

功能材料

提出一种自支撑通孔有序氧化铝膜(AAM)的阴极电解制备方法.在中性氯化钾水溶液中,以AAM/Al为阴极,石墨为阳极,电压为-4～-5V,电解3～10min即可把氧化铝膜从铝基底上剥离,同时去除背面阻挡层,获得自支撑通孔氧化铝膜.讨论了通孔氧化铝膜电解制备方法的剥膜、通孔的机理.

关键词: 氧化铝膜 , 阴极电解 , 自支撑 , 通孔

印制电路板通孔电镀铜添加剂的研究

宗同强 , 曾瑜 , 计红果 , 韩亚冬 , 马倩 , 靳焘

电镀与涂饰

在2.0 A/dm2、24℃和空气搅拌条件下,采用由60 g/LCuSO4·5H2O、200 g/L H2SO4、60 mg/L Cl-和4种添加剂组成的酸性镀铜液对印制线路板通孔进行电镀铜.以PCB通孔孔口、孔中心铜层厚度和镀液的深镀能力为指标,通过正交试验对添加剂聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、聚乙二醇(PEG-10000)、季铵盐类化合物(MX-86)和嵌段聚醚类化合物(SQ-5)的用量进行优化,得到添加剂的最优组合为:SPS 20 mg/L,SQ-5 0.5 g/L,PEG-10000 0.2 g/L,MX-86 20 mg/L.采用该配方对深径比为8∶1的通孔电镀时,深镀能力在90％以上,铜层的延展性和可靠性均能满足印制线路板的工业应用要求.

关键词: 印制电路板 , 通孔 , 电镀铜 , 添加剂 , 深镀能力

添加剂对脉冲酸性镀铜通孔均匀沉积的影响

王劭南 , 王增林

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2008.12.007

研究了在脉冲酸性电镀铜工艺中,不同相对分子质量的聚乙二醇及聚二硫二丙烷磺酸钠的质量浓度以及搅拌条件对微孔直径为300 μm,深径比为7.3:1的通孔填充效果的影响.结果表明,随着聚乙二醇相对分子质量增大,通孔内壁铜沉积的均匀性逐渐增大,当聚乙二醇相对分子质量为8 000和12 000时,通孔的均匀度达到90%以上;当镀液中聚二硫二丙烷磺酸钠的质量浓度为4～6 mg/L、搅拌速率保持在700 r/min时,通孔内壁上可以镀覆一层均匀的铜导电层.

关键词: 脉冲电镀 , 通孔 , 印刷电路板 , 添加剂 , 电镀铜

多孔阳极氧化铝模板制备工艺的研究

张少波 , 郭敏 , 赵琢 , 吴思达 , 杨全红

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2009.11.001

以硫酸溶液为电解液,采用二次阳极氧化工艺制备高度有序的多孔阳极氧化铝模板.研究了电解液浓度、阳极氧化电压和阳极氧化温度对多孔阳极氧化铝模板形貌、孔径和孔间距的影响,并以高氯酸和丙酮的混合溶液为电解液,利用第三次阳极氧化,一步实现了多孔阳极氧化铝膜的通孔剥离,获得具有较大面积、韧性较好的通孔多孔阳极氧化铝模板.

关键词: 氧化铝模板 , 二次阳极氧化 , 三次阳极氧化 , 剥离 , 通孔

孔表面化学镀Ni-P及其沉积机制

方信贤 , 薛亚军 , 戴玉明 , 巴志新

腐蚀与防护

用扫描电镜(SEM)对化学镀Ni-P沉积层形貌进行观察,用能谱仪(EDS)对镀层成分进行分析,用增重法测量沉积速率.试验结果表明,化学镀初期镀层表面形貌为等轴颗粒状,形成连续膜后镀层形貌为胞状.胞状组织上形成的晶核成分与基体胞状组织成分不同.通孔和盲孔高度分别小于1.76 mm和2.2mm时,化学镀Ni-P沉积速率随孔高度的减小而下降.

关键词: 化学镀 , Ni-P , 形成机制 , 盲孔 , 通孔

集成电路互连铝通孔焦耳热效应的分析与模拟仿真

江清明 , 周继承 , 杨春晖 , 章晓文

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.022

对超大规模集成电路铝互连系统中的铝通孔电迁移进行了试验分析和模拟.以通孔开路为电迁移失效判据,求出了在加速条件下互连铝通孔的电迁移寿命;基于ANSYS模拟软件平台,对铝通孔电迁移热电耦合效应进行了模拟.仿真结果表明通孔最高温度比环境温度高出9.576K,与通孔自热效应理论模型算出的结果基本一致.考虑该温度修正后通孔电迁移寿命与实际值更接近.该工作对铝通孔电迁移的研究和寿命评价具有重要的实际意义.

关键词: 集成电路 , 通孔 , 金属互连线 , 温度分布模型 , 焦耳热

GaAs背面通孔刻蚀技术研究

陈震 , 魏珂 , 王润梅 , 刘新宇 , 刘训春 , 吴德馨

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.024

比较研究了GaAs背面通孔腐蚀中的湿法腐蚀和ICP干法刻蚀技术,并利用感应离子耦合(ICP)干法刻蚀技术,采用CCl2F2/Ar混合气体,对GaAs衬底上的通孔工艺进行了研究.通过优化气压、射频功率、CCl2F2/Ar混合气体组分配比,在CCl2F2流量为200sccm,Ar流量为10sccm,源功率Ps=400W,偏压功率Pb=14W,自偏压Vb=120V,真空度P=43Pa时,得到了表面平滑的通孔形貌和最大的通孔刻蚀速率(4.3μm/min).

关键词: 通孔 , 感应离子耦合(ICP) , 干法刻蚀

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