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低压化学气相沉积法制备ZnSe多晶及其性能研究

周育先 , 方珍意 , 潘伟 , 杨曜源 , 张力强 , 王向阳 , 肖红涛

稀有金属材料与工程

以单质Zn,Se和H2为原料,采用低压化学气相沉积方法在温度为630℃~750℃,压力为300Pa~1000 Pa条件下制备出了性能优异的ZnSe多晶材料.性能测试表明,制备出的CVD ZnSe多晶材料在0.55 μm~22 μm,及8μm~14μm波段的平均透过率超过70%(1 mm厚),在3.39μm处的应力双折射为54 nm/cm.其光学透过性能与美国采用Zn和H2Se气体为原料制备出的CVD ZnSe多晶非常接近.

关键词: ZnSe , 红外 , 化学气相沉积 , CVD , 透过

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