刘世丽
,
辛智青
,
李修
,
方一
,
李亚玲
,
莫黎昕
,
李路海
功能材料与器件学报
透明电极作为现代电子器件的重要组成部分,集光学、电学性能干一体,可应用在平板触摸屏、液晶显示器、有机发光二极管、有机太阳能电池等光电器件中.本文对比了不同种类的导电材料在透明电极中的的应用,包括金属氧化物、新型碳材料、纳米金属材料、复合材料等,认为复合材料与印刷制造相结合的方法是透明电极的发展趋势.
关键词:
透明电极
,
导电材料
,
金属网格
,
印刷制造
赵文秀
,
周奕华
,
钱俊
影像科学与光化学
doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2015.03.251
透明导电薄膜是一种在可见光范围内透光率较高、导电性优良的薄膜材料.近年来随着智能手机、平板电脑等电子产品日益普及,透明导电薄膜受到越来越多的关注.本文分析了目前占据市场统治地位的掺锡氧化铟透明导电薄膜的缺点以及近年来国内外对透明导电薄膜开展的研究工作,总结了目前在印刷电子领域透明导电薄膜的主要研究方向,一方面是在传统金属氧化物薄膜基础上的改进;另一方面是寻找新型透明导电薄膜材料,并分别综述了各个研究方向的最新进展.
关键词:
透明导电薄膜
,
印刷电子
,
喷墨打印
,
图案化
,
透明电极
张楷力
,
堵永国
,
王震
贵金属
银纳米线是惊种极具潜力的新惊代透明电极材料。通过合成小直径、高长径比的银纳米线，采用适当的成膜工艺以及后处理工艺，制备出了在玻璃和PET膜上的透明电极。其中在玻璃和PET上的透明电极在90%的透过率下方阻分别为15和25?/□。这些银纳米线透明电极的综合性能达到了国际惊流水平，具有较强的应用前景。
关键词:
银纳米线
,
透明电极
,
制备流程
,
相关因素
祁洪飞
,
郝维昌
,
王天民
稀有金属材料与工程
以聚苯乙烯胶体晶体为模板,采用磁控溅射方法制备了孔径分别为1.2,2.4,3.4,4.5和5.6 μm的Ni微网格透明电极.利用扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见分光光度计(UV-Vis)和四探针测试仪考察了微网格孔径对电极透过率及导电性能的影响.发现随网格孔径增大,电极透过率逐渐降低,导电性能逐渐增强.微网格透明电极在紫外与可见光区具备优良的透明导电性能.微网格结构的理论计算和原子力显微镜(AFM)分析结果表明,随着模板中PS球直径的增大,Ni在基底上覆盖厚度的线性增大,是导致微网格透明电极透光性能下降和导电性能增强的根本原因.
关键词:
透明电极
,
微网格
,
透过率
,
导电性能
李景明
,
蔡珣
,
茅及放
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2004.02.011
设计和制备了用于平面显示器透明电极的纳米多层薄膜TiO2/Ag/TiO2,它的明视透光率Tlum约为89.3%,在2 500nm波长处的反射率R2 500>95%,方块电阻为3.0Ω/cm2,在550nm波长处的电气性能评价指标FTC=137×10-3Ω-1.发现顶层介质折射率的变化将会引起膜系透射峰的水平移动,而底层介质折射率的变化将仅仅影响膜系透射峰的高低.
关键词:
透明电极
,
纳米多层膜
,
光学性能
,
导电性能
陈丹
,
吕建国
,
黄靖云
,
金豫浙
,
张昊翔
,
叶志镇
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12482
采用脉冲激光沉积法制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究了不同沉积氧压下薄膜的光电性能.当沉积压强为0.1 Pa时,AZO薄膜光电性能最优.将该薄膜用于GaN基LED透明电极作为电流扩展层,在20 mA正向电流下观察到了520 nm处很强的芯片发光峰,但芯片工作电压较高,约为10V,芯片亮度随正向电流的增大而增强.二次离子质谱测试表明,AZO薄膜与GaN层界面处两种材料导电性能的变化以及钝化层的形成是导致芯片工作电压偏高的原因.
关键词:
AZO薄膜
,
GaN基LED
,
透明电极
,
脉冲激光沉积
张楷力
,
堵永国
,
王震
贵金属
介绍了银纳米线透明电极光电性能的相关理论。根据国外研究团队建立的相应模型，结合目前透明电极主流应用对银纳米线的性能要求，阐释了银纳米线的尺寸与透明电极的光电性能之间的联系，给出了评判电极光电综合性能的重要参数和满足透明电极应用的银纳米线尺寸具体要求，为银纳米线的合成提供了理论参考。
关键词:
金属纳米材料
,
银纳米线
,
透明电极
,
尺寸
,
光电性能
,
理论
王洁
,
堵永国
,
张楷力
贵金属
银纳米线是一种有较大应用潜力的新一代透明导电电极材料。总结了利用银纳米线制备透明电极常用的恐涂、喷涂和棒涂法3种主要液相成膜工艺，对成膜工艺对膜性能的影响以及其应用潜力进行了分析；介绍了加热、加压和引入介质3类后处理方法，阐述了不同后处理方法对银纳米线透明电极综合性能的影响。
关键词:
信息功能材料
,
银纳米线
,
透明电极
,
成膜工艺
,
后处理
章海霞
,
闫辉
,
王永祯
,
许并社
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.21.002
综述了石墨烯作太阳电池透明电极的研究现状,并提出了今后的研究思路,即对石墨烯内部的位错、晶界、应变等缺陷进行理论计算,用来指导实验研究,最终通过控制位错、晶界等缺陷的运动,使其性能得到有效控制.另外,石墨烯作透明电极时,与太阳电池其它部分直接接触.在未来的研究中,制备高性能石墨烯的同时,也应该关注太阳电池中石墨烯与其它部分的界面情况.
关键词:
石墨烯
,
太阳电池
,
透明电极
