李世涛
,
乔学亮
,
陈建国
,
王洪水
,
谈发堂
,
邱小林
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2006.z1.124
介绍纳米吸波剂的吸波剂机理,综述其研究现状,并总结各种薄膜吸波剂的优、缺点.最后对制备强、宽、轻、薄的纳米复合吸波剂进行展望.
关键词:
纳米复合
,
吸波材料
,
铁氧体
,
薄膜
,
透明导电
刘畅
,
苑帅
,
张海良
,
曹丙强
,
吴莉莉
,
尹龙卫
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150455
γ相碘化亚铜(γ-CuI)是一种带隙为3.1 eV的p型半导体材料,适合应用于发光二极管和太阳能电池等光电子器件.本研究利用简单的铜膜碘化法制备了CuI薄膜,探究了碘化时间、温度及铜/碘比等生长条件对其透明导电性能的影响.在最优碘化时间(30 min)和碘化温度(120℃)下,制备出了高透过率(可见光范围＞75％)、导电性能好(电阻率4.4×10-2Ω·cm)的CuI薄膜.利用CuI薄膜作为空穴传输层,组装了CuI/CH3NH3PbI3/PCBM反型平面钙钛矿电池,获得的最高光电转换效率为8.35％,讨论了CuI薄膜透明导电性能对钙钛矿电池光电转换效率的影响机理.
关键词:
碘化亚铜
,
铜膜碘化法
,
透明导电
,
反型钙钛矿太阳能电池
刘波
,
赵小如
,
冯娴娴
,
刘凯
,
赵亮
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.04.011
掺杂氧化锌(ZnO)薄膜是一种新型的透明导电氧化物(TCO)材料,因有替代氧化铟锡(ITO)的潜能而成为当今TCO材料中的研究热点,其优异的光学和电学性能使其在平板显示器、太阳能电池等光电器件中具有光明的应用前景.文章对ZnO基半导体材料的结构和性能进行了介绍,综述了近年来以ZnO薄膜为基体的n型和p型掺杂的研究进展,并在此基础上对未来的发展方向进行了展望.
关键词:
氧化锌
,
透明导电
,
电阻率
,
透过率
杨玲
,
许积文
,
王华
,
江民红
,
袁昌来
材料导报
室温下通过直流磁控溅射Al2O3掺杂3％(质量分数)的ZnO靶材制备了厚度约1μm、结晶度高、表面平整光滑的ZnO∶Al透明导电薄膜.研究盐酸、王水和草酸溶液对ZnO∶Al薄膜的湿化学刻蚀行为,分析刻蚀对薄膜微观结构、光刻图案、电学和光学性能的影响.结果表明,刻蚀对薄膜的结晶取向性无影响；经盐酸、王水和草酸刻蚀后薄膜的电阻率略有增大,从7.4mΩ·cm分别增大到8.7mnΩ· cm、8.8mQ·cm和8.6mΩ·cm；透光率略有下降,从80％分别下降到76％、77％和78％.0.5％的盐酸刻蚀可以获得结构良好的陷光结构.薄膜在盐酸中刻蚀速率快,易产生浮胶；在草酸中刻蚀图案清晰,但存在残留；在王水中刻蚀图案清晰且无残留.
关键词:
ZAO薄膜
,
透明导电
,
湿法刻蚀
