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GaAs/Si(100)异质外延4°偏角衬底对外延层结晶质量的提高

熊德平 , 罗莉 , 雷亮 , 陈志新

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.001

用低压金属有机物化学汽相沉积法(MOCVD)在Si(100)无偏角和Si(100)4°偏角衬底上外延生长GaAs层.异质外延采用两步生长法,并分别优化了两种衬底上的非晶低温缓冲层的生长条件.用X射线双晶衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对两种衬底上的GaAs外延层进行了结构表征,其中Si(100)4°偏角衬底上1.8μm厚GaAs的(004)面XRD衍射半高全宽338 arcsec,同比在无偏角衬底上的半高全宽为494arcsec,TEM图片显示4°偏角衬底上外延层中的位错密度大大降低.

关键词: GaAs/Si异质结 , X射线衍射(XRD) , 透射电子显微镜(TEM)