王乙潜
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梁文双
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Ross Guy
功能材料
利用离子注入结合后续高温退火的方法成功地制备出包埋在二氧化硅(SiO_2)基质中的硅纳米晶.利用透射电子显微学对所制备的硅纳米晶(离子注入浓度为3×10~(17)cm~(-2))的微观结构缺陷进行了详细的研究.通过高分辨像分析发现:较大的纳米晶(直径＞6nm)中存在很多面缺陷,主要为孪晶与层错.孪晶包括一次孪晶、二重孪晶、三重孪晶及五重孪晶.层错分为内禀和外禀两种类型,并讨论了内禀层错占多数的原因.除了面缺陷以外,还有一部分纳米晶中存在位错.
关键词:
硅纳米晶
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透射电子显微学
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面缺陷
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线缺陷
卢秋虹
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隋曼龄
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李斗星
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2007.01.003
研究了一种具有纳米孪晶片层结构的电解沉积铜的微观结构特征及其在室温轧制形变后的微观结构演变.结果表明,电解沉积制备的纯铜样品由柱状晶组成,柱状品内含有平行于样品沉积表面的纳米量级厚度的高密度孪晶片层结构,在孪晶界上缺陷很少,为共格孪晶界.形变后,孪晶片层的微观结构特征与片层厚度密切相关.粗大的孪品片层的形变行为以全位错运动为主,而细小的孪晶片层的形变行为以肖克莱(Shockley)位错在孪晶界上的滑移为主,从而导致几个纳米厚的超细孪晶片层消失.
关键词:
金属材料
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孪晶片层
,
轧制形变
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Shockley不全位错
,
透射电子显微学
李凌燕
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顾辉
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Bill Joachim
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01076
以透射电镜的先进分析方法为主要手段,对前驱体制备Si-B-C-N陶瓷(T2-1)材料纳米尺度的微结构及其晶化过程进行了研究.结果表明,在直接经过1400℃热解后,所得到的T2-1样品出现了非均匀的SiC和Si3N4的结晶以及石墨化或BCN的团簇.为了有效保持材料强度并抑制高温易分解Si3N4相的析出,对T2-1在1000℃热解以进行对比实验.显微结构的观察表明,经过低温热解的基体出现了均匀成分分相;即使再经过1400℃下的退火,仍能有效抑制Si3N4纳米晶的析出,从而增进了材料的高温稳定性.
关键词:
前驱体陶瓷
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热解
,
结晶
,
透射电子显微学
