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Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的晶体缺陷及其控制

介万奇 , 李宇杰

功能材料

围绕作者所在课题组近年来的研究工作,综述了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶体生长过程中的各种结构缺陷及其形成机理.从晶体生长过程和后续的热处理过程两个方面指出了晶体缺陷的控制原理和方法.

关键词: Ⅱ-Ⅵ族化合物 , 碲锌镉 , 晶体生长 , 退火改性 , 晶体缺陷